特許
J-GLOBAL ID：201703007996328026
エレクトロルミネッセンス素子の作製方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
安彦 元
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-185872
公開番号（公開出願番号）：特開2014-044836
特許番号：特許第6073599号
出願日： 2012年08月24日
公開日（公表日）： 2014年03月13日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 p層及びn層を含む半導体層を備えるエレクトロルミネッセンス素子の作製方法において、
順方向バイアス電圧を印加するとともに、上記半導体層における吸収端波長よりも短波長の光を照射することにより、上記p層と上記n層の接合部に対して光吸収に基づく発熱を生じさせ、当該発熱に基づいて何れか1以上の上記層の表面形状及び/又はドーパント分布を変化させることを繰り返させ、
上記変化後の表面形状及び/又はドーパント分布に基づいて近接場光が発生した箇所では、上記バイアス電圧に基づいて生成される上記伝導帯中の電子を非断熱過程に基づいて複数段階で誘導放出させることにより発光させるとともに、当該発光に伴って上記発熱を抑制することにより、上記変化後の表面形状及び/又はドーパント分布を固定させること
を特徴とするエレクトロルミネッセンス素子の作製方法。
IPC (2件)：
H05B 33/14 ( 200 6.01)
, H05B 33/10 ( 200 6.01)
H05B 33/14 Z
, H05B 33/10
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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