特許
J-GLOBAL ID：201703008117975788
酸化アルミニウムの成膜方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
吉竹 英俊
, 有田 貴弘
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-065384
公開番号（公開出願番号）：特開2014-189827
特許番号：特許第6101533号
出願日： 2013年03月27日
公開日（公表日）： 2014年10月06日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 静磁場を形成するマグネトロンカソードが設けられた真空容器に、スパッタガスと、酸素の反応性ガスとを当該真空容器内の圧力が目標圧力になるように制御しつつ導入して当該カソードに設けられたアルミニウムターゲットをスパッタし、当該アルミニウムターゲットに対向するシリコン基板上に酸化膜を形成する酸化アルミニウムの成膜方法であって、
前記スパッタガスと前記反応性ガスとが導入された真空容器内にプラズマを発生させる第1のプラズマ発生ステップと、
前記アルミニウムターゲットに負電圧、負電圧と正電圧とからなる直流パルス、および交流の何れか1つのスパッタ電圧を印加して、前記静磁場によりマグネトロンプラズマを発生させる第2のプラズマ発生ステップと、
前記真空容器内への前記反応性ガスの導入量を制御する制御ステップと、
を備え、
前記第2のプラズマ発生ステップは、前記スパッタ電圧を定電圧に維持する定電圧制御を行うステップであり、
前記制御ステップは、
前記マグネトロンカソードに流れるスパッタ電流値が目標電流値と異なる場合には、前記第2のプラズマ発生ステップにおいて前記スパッタ電圧が前記定電圧制御によって前記定電圧に維持されている間に、前記スパッタ電流値が前記目標電流値になるように前記反応性ガスの導入量を変更する第1ステップと、
前記第1ステップによって前記スパッタ電流値が前記目標電流値に達した後には、前記第2のプラズマ発生ステップにおいて前記スパッタ電圧が前記定電圧制御によって前記定電圧に維持されている間に、前記反応性ガスのプラズマ発光強度が、前記スパッタ電流値の変化に応じて、前記スパッタ電流値よりも時間的に早く変化することに基づいて前記反応性ガスのプラズマの発光強度の変化から前記スパッタ電流値の変化を予測して、前記スパッタ電流値が前記目標電流値に維持されるように前記反応性ガスの導入量を制御する第2ステップと、
を含み、
前記第1のプラズマ発生ステップは、前記真空容器内に設けられ巻数が一周未満の導体からなる高周波アンテナを用いて、少なくとも前記第2のプラズマ発生ステップ中に高周波誘導結合プラズマを発生させるステップである酸化アルミニウムの成膜方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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