特許
J-GLOBAL ID：200903080335729241
極薄絶縁膜形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
北村 欣一 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-137044
公開番号（公開出願番号）：特開平10-324969
出願日： 1997年05月27日
公開日（公表日）： 1998年12月08日
要約：
【要約】【課題】従来のスパッタ法では困難であった数十〜数百Åの極薄で磁気ヘッドのギャップ層やトンネル接合型GMRに好都合な化合物絶縁膜を形成する方法を提案する【解決手段】真空室1内に、直流電源5に接続されたメタルターゲット6とその背後の磁石7及び該ターゲットの前方のイオン化率を高めるRFコイル8を備えたマグネトロンカソード9を設け、プラズマ発生のための該ターゲット及びRFコイルへの投入電力と、該真空室内へ導入するスパッタ用不活性ガス及び反応性ガスの流量とを制御し、該ターゲットに対向して設けた基板13にメタル膜の成膜と該メタル膜の絶縁化合物化を交互に行う。
請求項（抜粋）：
真空室内に、直流電源に接続されたメタルターゲットとその背後の磁石及び該ターゲットの前方のイオン化率を高めるRFコイルを備えたマグネトロンカソードを設け、プラズマ発生のための該ターゲット及びRFコイルへの投入電力と、該真空室内へ導入するスパッタ用不活性ガス及び反応性ガスの流量とを制御し、該ターゲットに対向して設けた基板にメタル膜の成膜と該メタル膜の絶縁化合物化を交互に行うことを特徴とする極薄絶縁膜形成方法。
IPC (5件)：
C23C 14/34
, C23C 14/08
, C23C 14/35
, C23C 14/58
, G11B 5/39
C23C 14/34 M
, C23C 14/08 A
, C23C 14/35 Z
, C23C 14/58 Z
, G11B 5/39
