特許
J-GLOBAL ID:200903080335729241
極薄絶縁膜形成方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
北村 欣一 (外3名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-137044
公開番号(公開出願番号):特開平10-324969
出願日: 1997年05月27日
公開日(公表日): 1998年12月08日
要約:
【要約】【課題】従来のスパッタ法では困難であった数十〜数百Åの極薄で磁気ヘッドのギャップ層やトンネル接合型GMRに好都合な化合物絶縁膜を形成する方法を提案する【解決手段】真空室1内に、直流電源5に接続されたメタルターゲット6とその背後の磁石7及び該ターゲットの前方のイオン化率を高めるRFコイル8を備えたマグネトロンカソード9を設け、プラズマ発生のための該ターゲット及びRFコイルへの投入電力と、該真空室内へ導入するスパッタ用不活性ガス及び反応性ガスの流量とを制御し、該ターゲットに対向して設けた基板13にメタル膜の成膜と該メタル膜の絶縁化合物化を交互に行う。
請求項(抜粋):
真空室内に、直流電源に接続されたメタルターゲットとその背後の磁石及び該ターゲットの前方のイオン化率を高めるRFコイルを備えたマグネトロンカソードを設け、プラズマ発生のための該ターゲット及びRFコイルへの投入電力と、該真空室内へ導入するスパッタ用不活性ガス及び反応性ガスの流量とを制御し、該ターゲットに対向して設けた基板にメタル膜の成膜と該メタル膜の絶縁化合物化を交互に行うことを特徴とする極薄絶縁膜形成方法。
IPC (5件):
C23C 14/34
, C23C 14/08
, C23C 14/35
, C23C 14/58
, G11B 5/39
FI (5件):
C23C 14/34 M
, C23C 14/08 A
, C23C 14/35 Z
, C23C 14/58 Z
, G11B 5/39
引用特許:
審査官引用 (14件)
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スパッタリングカソード及びスパッタリング装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-136125
出願人:日本真空技術株式会社
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薄膜形成方法および装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-337931
出願人:株式会社シンクロン
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薄膜の作成法および作成装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-302165
出願人:石川島播磨重工業株式会社
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特開平3-135018
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特開平4-165065
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直流反応スパツタ装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-230784
出願人:ソニー株式会社
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スパッタ方法およびそのスパッタ装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-017653
出願人:日本真空技術株式会社
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特開平3-135018
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特開平4-165065
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特開昭61-190070
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特開平1-298151
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薄膜の形成方法および形成装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-330270
出願人:松下電器産業株式会社
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特開平3-135018
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特開平4-165065
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