特許

J-GLOBAL ID：201703008644986186

化合物半導体を洗浄する方法、化合物半導体の洗浄用の溶液

発明者： 長尾 兼次 ,  中村 健一 ,  寺本 章伸
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社 ,  国立大学法人東北大学
代理人 (5件)： 長谷川 芳樹 ,  黒木 義樹 ,  ▲高▼木 邦夫 ,  寺澤 正太郎 ,  近藤 伊知良
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2015054471
公開番号（公開出願番号）：WO2016-013239
出願日： 2015年02月18日
公開日（公表日）： 2016年01月28日
要約：

環境負荷を低減可能な、化合物半導体を洗浄する方法を提供する。化合物半導体を洗浄する方法は、純水と65wt%未満の硫酸とを含みpH2以下の水素イオン濃度及び0.6ボルト以上の酸化還元電位を有する溶液17を用いて、構成元素としてガリウムを備える化合物半導体に洗浄のための処理4を摂氏70度以上の温度で施す工程を備える。

請求項（抜粋）：

化合物半導体を洗浄する方法であって、 純水と65wt%未満の硫酸とを含みpH2以下の水素イオン濃度及び0.6ボルト以上の酸化還元電位を有する溶液を用いて、構成元素としてガリウムを備える化合物半導体に洗浄のための処理を摂氏70度以上の温度で施す工程を備える、化合物半導体を洗浄する方法。

IPC (1件)：

H01L 21/304

FI (1件)：

H01L21/304 647Z

Fターム (26件)：

5F157AA23 ,  5F157AA49 ,  5F157AA50 ,  5F157AA51 ,  5F157AA52 ,  5F157AB03 ,  5F157AB34 ,  5F157AC01 ,  5F157BB02 ,  5F157BB03 ,  5F157BB66 ,  5F157BC03 ,  5F157BC05 ,  5F157BC07 ,  5F157BC09 ,  5F157BC12 ,  5F157BC13 ,  5F157BC53 ,  5F157BE12 ,  5F157BE43 ,  5F157CB03 ,  5F157CB13 ,  5F157CB15 ,  5F157CB32 ,  5F157CF16 ,  5F157DB03