特許
J-GLOBAL ID：201703009063478208
有機電界効果トランジスタの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人HARAKENZO WORLD PATENT & TRADEMARK
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-503834
特許番号：特許第6095767号
出願日： 2013年03月28日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 基板上に、ゲート電極(1)と、電気的な絶縁のために上記ゲート電極(1)に設けられるゲート絶縁体(2)とを形成するステップと、
上記ゲート絶縁体(2)上に、第1有機半導体層(3)を堆積するステップと、
上記第1有機半導体層(3)上に、第1電極(4)と、電気的な絶縁のために上記第1電極(4)に設けられる電極絶縁体(5)とを形成するステップと、
上記第1有機半導体層(3)および上記電極絶縁体(5)の上に、第2有機半導体層(6)を堆積するステップと、
上記第2有機半導体層(6)上に、第2電極(7)を形成するステップと、
を含んでおり、
(i)上記第1有機半導体層(3)上に、上記第1電極(4)と上記電極絶縁体(5)とを形成するステップ、および、(ii)上記第2有機半導体層(6)上に上記第2電極(7)を形成するステップのうち、
少なくとも一方のステップは、上記第1有機半導体層および上記第2有機半導体層(3,6)のそれぞれに対して、フォトリソグラフィによる成形を行うステップを含み、
上記第1有機半導体層(3)上に、上記第1電極(4)と上記電極絶縁体(5)とを形成するステップは、
上記第1有機半導体層(3)上に、第1フォトレジスト層を堆積するステップと、
上記第1フォトレジスト層をパターン化し、第1フォトレジストパターンを形成することにより、上記第1電極(4)に応じた電極の領域を規定するステップと、
上記第1フォトレジストパターン上に、第1導電層を堆積するステップと、
上記第1導電層上に、絶縁層を堆積するステップと、
リフトオフ処理を用いて上記第1フォトレジストパターンを除去するステップと、
を含んでおり、
上記第1フォトレジストパターンを除去するステップの結果として、上記第1電極(4)と上記電極絶縁体(5)とが形成されることを特徴とする有機電界効果トランジスタの製造方法。
IPC (2件)：
H01L 29/786 ( 200 6.01)
, H01L 51/05 ( 200 6.01)
H01L 29/78 618 B
, H01L 29/78 626 A
, H01L 29/78 616 S
, H01L 29/78 618 E
, H01L 29/28 100 A
