特許
J-GLOBAL ID：201703009066896035

光送信器

発明者：
水谷 健二

水谷 健二 について


出願人/特許権者：
技術研究組合光電子融合基盤技術研究所

技術研究組合光電子融合基盤技術研究所 について


代理人 (5件)： 小野 新次郎 ,  小林 泰 ,  竹内 茂雄 ,  山本 修 ,  大房 直樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-067789
公開番号（公開出願番号）：特開2017-183474
出願日： 2016年03月30日
公開日（公表日）： 2017年10月05日
要約：
【課題】半導体レーザの前方端面が近端反射に対して有効な反射率に設定された光送信器を提供する。【解決手段】半導体レーザと、前記半導体レーザからの出力光が入力される少なくとも1つの光機能素子と、を備える光送信器であって、前記光送信器から出力される光信号を受信する光受信器における信号対雑音比は、前記少なくとも1つの光機能素子からの反射戻り光が前記半導体レーザに再入射されることに起因して生じる第1寄与成分と、前記光受信器へ入力される光信号の強度に依存せずに生じる第2寄与成分とを含み、前記半導体レーザの前方端面の反射率は、前記第1寄与成分と前記第2寄与成分による前記信号対雑音比を前記反射率の変化に対して最大化する反射率を含む所定範囲の値に設定されている、ことを特徴とする。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
半導体レーザと、 前記半導体レーザからの出力光が入力される少なくとも1つの光機能素子と、 を備える光送信器であって、 前記光送信器から出力される光信号を受信する光受信器における信号対雑音比は、前記少なくとも1つの光機能素子からの反射戻り光が前記半導体レーザに再入射されることに起因して生じる第1寄与成分と、前記光受信器へ入力される光信号の強度に依存せずに生じる第2寄与成分とを含み、 前記半導体レーザの前方端面の反射率は、前記第1寄与成分と前記第2寄与成分による前記信号対雑音比を前記反射率の変化に対して最大化する反射率を含む所定範囲の値に設定されている、 ことを特徴とする光送信器。
IPC (2件)：
H01S 5/022 ,  G02F 1/03
FI (2件)：
H01S5/022 ,  G02F1/03 505
Fターム (21件)：
2K102AA21 ,  2K102BA02 ,  2K102BB04 ,  2K102BC04 ,  2K102BD01 ,  2K102DA04 ,  2K102DD03 ,  2K102EA02 ,  2K102EA21 ,  2K102EB08 ,  2K102EB20 ,  2K102EB28 ,  5F173MB02 ,  5F173MC16 ,  5F173MD03 ,  5F173MD36 ,  5F173MD37 ,  5F173MD43 ,  5F173MF03 ,  5F173MF15 ,  5F173MF40
引用特許：
審査官引用 (9件)
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