特許
J-GLOBAL ID:201703009145042947
電極の作製方法及び蓄電装置の作製方法
発明者:
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出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2016-171829
公開番号(公開出願番号):特開2017-017035
出願日: 2016年09月02日
公開日(公表日): 2017年01月19日
要約:
【課題】酸化グラフェンから生成されるグラフェンにおいて、導電性が向上したグラフェン及びその作製方法を提供する。また、充放電容量を向上させることができ、信頼性及び耐久性を含め、電気特性の良好な蓄電装置及びその作製方法を提供する。【解決手段】第1の導電層上に酸化グラフェンを含む層を形成し、作用極である第1の導電層、及び、対極である第2の導電層を浸漬した電解液中で、酸化グラフェンの還元反応が生じる電位を第1の導電層の電位に供給して、グラフェンを生成する方法である。また、少なくとも正極、負極、電解液及びセパレータを有する蓄電装置において、正極及び負極の一方又は双方は、上記作製方法を用いてグラフェンを生成する蓄電装置の作製方法である。【選択図】図1
請求項(抜粋):
集電体に少なくとも活物質及び酸化グラフェンを含む活物質層を形成し、
前記活物質層を含む前記集電体を、電解液に浸漬し、
前記酸化グラフェンの還元反応が生じる電位を前記集電体に供給し、前記酸化グラフェンを還元して、酸素の割合が10%以上20%以下のグラフェンを生成することを特徴とする電極の作製方法。
IPC (7件):
H01M 4/139
, C01B 32/15
, C01B 32/18
, C01B 32/182
, C01B 25/45
, H01M 4/13
, H01M 4/66
FI (5件):
H01M4/139
, C01B31/02 101Z
, C01B25/45 Z
, H01M4/13
, H01M4/66 A
Fターム (52件):
4G146AA01
, 4G146AA15
, 4G146AB07
, 4G146AC19B
, 4G146AD22
, 4G146AD23
, 4G146AD25
, 4G146BA02
, 4G146BB12
, 4G146BC18
, 4G146BC50
, 4G146CB11
, 4G146CB12
, 4G146CB14
, 4G146CB17
, 4G146CB32
, 4G146CB34
, 4G146CB37
, 4G146CB40
, 5H017AA03
, 5H017CC03
, 5H017DD05
, 5H017EE01
, 5H017EE04
, 5H017EE05
, 5H017HH01
, 5H017HH10
, 5H050AA02
, 5H050AA08
, 5H050AA12
, 5H050BA17
, 5H050CA01
, 5H050CA02
, 5H050CA05
, 5H050CA07
, 5H050CA08
, 5H050CA09
, 5H050CB01
, 5H050CB02
, 5H050CB08
, 5H050CB11
, 5H050CB12
, 5H050DA06
, 5H050DA07
, 5H050DA08
, 5H050DA09
, 5H050EA08
, 5H050FA04
, 5H050GA13
, 5H050GA18
, 5H050HA02
, 5H050HA18
引用特許:
引用文献:
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