特許
J-GLOBAL ID:201703009516297579

複合材料及びその製造方法、並びにその製造装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 河野 広明
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2015-130292
公開番号(公開出願番号):特開2017-017111
出願日: 2015年06月29日
公開日(公表日): 2017年01月19日
要約:
【課題】少なくとも表面がSiCである母材の該表面の触媒活性化を実現する複合材料、及び該SiC表面とめっき材との密着性を有する複合材料、それらの製造方法、並びにそれらの製造装置を提供する。【解決手段】本発明の1つの複合材料の製造方法は、少なくとも最上層にシリコンカーバイド(SiC)層が形成されている母材の表面を、金(Au)、銀(Ag)、パラジウム(Pd)、ロジウム(Rh)、オスミウム(Os)、イリジウム(Ir)、ルテニウム(Ru)、白金(Pt)、及び銅(Cu)の群から選択される少なくとも一種の第1金属の第1イオンを含有する第1溶液に接触させることにより、その母材の表面上に前述のシリコンカーバイド(SiC)層の一部と置き換えられた粒子状又はアイランド状の前記第1金属を分散配置する分散配置工程を含む。【選択図】図1
請求項(抜粋):
少なくとも最上層にシリコンカーバイド(SiC)層が形成されている母材の表面を、金(Au)、銀(Ag)、パラジウム(Pd)、ロジウム(Rh)、オスミウム(Os)、イリジウム(Ir)、ルテニウム(Ru)、白金(Pt)、及び銅(Cu)の群から選択される少なくとも一種の第1金属の第1イオンを含有する第1溶液に接触させることにより、前記母材の表面上に前記シリコンカーバイド(SiC)層の一部と置き換えられた粒子状又はアイランド状の前記第1金属を分散配置する分散配置工程を含む、 複合材料の製造方法。
IPC (7件):
H01L 21/288 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/320 ,  H01L 21/768 ,  H01L 23/532 ,  C23C 18/18 ,  C23C 18/16
FI (7件):
H01L21/288 E ,  H01L21/28 301B ,  H01L21/88 B ,  H01L21/88 M ,  H01L21/28 301R ,  C23C18/18 ,  C23C18/16 B
Fターム (27件):
4K022AA05 ,  4K022BA14 ,  4K022BA16 ,  4K022CA06 ,  4K022CA12 ,  4K022CA15 ,  4K022CA16 ,  4K022CA20 ,  4K022CA21 ,  4K022DA01 ,  4M104AA03 ,  4M104BB04 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104DD53 ,  4M104HH08 ,  5F033GG00 ,  5F033HH07 ,  5F033HH11 ,  5F033HH13 ,  5F033HH14 ,  5F033KK13 ,  5F033PP28 ,  5F033WW00 ,  5F033XX13
引用特許:
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (8件)
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