特許

J-GLOBAL ID：201703009543689217

III族窒化物結晶の製造方法および製造装置

発明者： 森 勇介 ,  今出 完 ,  滝野 淳一 ,  甲斐 隆行 ,  岡山 芳央
出願人/特許権者： パナソニック株式会社
代理人 (4件)： 田中 光雄 ,  鮫島 睦 ,  岡部 博史 ,  稲葉 和久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-092687
公開番号（公開出願番号）：特開2017-200862
出願日： 2016年05月02日
公開日（公表日）： 2017年11月09日
要約：

【課題】向上した生産効率を実現可能なIII族窒化物結晶の製造方法および製造装置の提供。【解決手段】コイル104により反応性ガス供給管103内で反応性ガス(H2)を活性化する工程と、活性化した反応性ガス(H2)とIII族元素含有源(Ga2O3)106とを反応させて、III族元素含有源の酸化物ガスであるIII族酸化物ガス(Ga2O)を生成する工程と、III族酸化物ガス(Ga2O)と窒素元素含有ガス供給口113から供給される窒素元素含有ガス(アンモニア)とを反応させて、種基板116上にIII族窒化物結晶を生成する工程と、を有するIII族窒化物結晶の製造方法および製造装置。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

III族窒化物結晶の製造方法であって、 反応性ガスを活性化する工程と、 活性化した前記反応性ガスとIII族元素含有源とを反応させて、前記III族元素含有源の酸化物ガスであるIII族酸化物ガスを生成する工程と、 前記III族酸化物ガスと窒素元素含有ガスとを反応させて、III族窒化物結晶を生成する工程と、 を含む、III族窒化物結晶の製造方法。

IPC (5件)：

C30B 29/38 ,  C30B 25/14 ,  C23C 16/448 ,  C23C 16/34 ,  H01L 21/205

FI (5件)：

C30B29/38 D ,  C30B25/14 ,  C23C16/448 ,  C23C16/34 ,  H01L21/205

Fターム (42件)：

4G077AA02 ,  4G077AA03 ,  4G077BE15 ,  4G077DB02 ,  4G077DB11 ,  4G077DB15 ,  4G077EA06 ,  4G077EA07 ,  4G077EG15 ,  4G077EG22 ,  4G077TB01 ,  4G077TC01 ,  4G077TC04 ,  4G077TH06 ,  4K030AA01 ,  4K030AA13 ,  4K030AA17 ,  4K030AA18 ,  4K030BA08 ,  4K030BA38 ,  4K030BB02 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030EA01 ,  4K030FA10 ,  4K030GA06 ,  4K030KA23 ,  4K030KA25 ,  4K030LA14 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AC07 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AC16 ,  5F045AF02 ,  5F045AF03 ,  5F045AF04 ,  5F045AF09 ,  5F045CA10 ,  5F045CA12 ,  5F045DP03