特許
J-GLOBAL ID：201703009593939621

半導体装置及びその製造方法

発明者：
守屋 太郎

守屋 太郎 について

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工藤 弘儀

工藤 弘儀 について

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打矢 聡

打矢 聡 について


出願人/特許権者：
ルネサスエレクトロニクス株式会社

ルネサスエレクトロニクス株式会社 について


代理人 (1件)： 特許業務法人深見特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-048763
公開番号（公開出願番号）：特開2017-163107
出願日： 2016年03月11日
公開日（公表日）： 2017年09月14日
要約：
【課題】プロセスの複雑化及びチップ面積の増大を伴うことなく、ノイズの影響を低減することが可能な半導体装置を提供する。【解決手段】実施形態に係る半導体装置は、第1面と、第2面とを有する半導体基板と、半導体基板中の第2面側に配置され、第1の導電型を有するドレイン領域と、半導体基板中の基板領域の第1面側に配置され、第1の導電型を有するドリフト領域と、半導体基板中のドリフト領域の主表面側に配置され、第2の導電型を有するベース領域と、半導体基板の主表面に設けられ、ドリフト領域との間でベース領域を挟み込んでいる第1の導電型を有するソース領域と、ドリフト領域とソース領域との間で挟み込まれているベース領域と絶縁しながら対向しているゲート電極と、第1面上に設けられ、ソース領域と電気的に接続している配線と、第1面上に配置され、配線と絶縁しながら対向し、かつ基板領域と電気的に接続されている第1の導電膜とを備える。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
第1面と、前記第1面の反対側の面である第2面とを有する半導体基板と、 前記半導体基板中の裏面側に配置され、第1の導電型を有するドレイン領域と、 前記半導体基板中の前記ドレイン領域の前記第1面側に配置され、第1の導電型を有するドリフト領域と、 前記半導体基板中の前記ドリフト領域の前記第1面側に配置され、第2の導電型を有するベース領域と、 前記半導体基板の前記第1面に設けられ、前記ドリフト領域との間で前記ベース領域を挟み込んでいる第1の導電型を有するソース領域と、 前記ドリフト領域と前記ソース領域との間で挟み込まれている前記ベース領域と絶縁しながら対向しているゲート電極と、 前記第1面上に設けられ、前記ソース領域と電気的に接続している配線と、 前記第1面上に設けられ、前記ドレイン領域と電気的に接続している第1の導電膜とを備え、 前記第1の導電膜は、前記第1面上において前記配線と絶縁しながら対向している、半導体装置。
IPC (9件)：
H01L 29/78 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/06 ,  H01L 23/522 ,  H01L 21/768 ,  H01L 21/320 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/04
FI (12件)：
H01L29/78 657Z ,  H01L29/78 652L ,  H01L29/78 653A ,  H01L29/78 652D ,  H01L29/78 652M ,  H01L29/78 652N ,  H01L29/78 652H ,  H01L29/78 658J ,  H01L27/06 102A ,  H01L29/78 652F ,  H01L21/88 Z ,  H01L27/04 C
Fターム (49件)：
5F033HH04 ,  5F033HH08 ,  5F033HH09 ,  5F033JJ04 ,  5F033JJ19 ,  5F033KK01 ,  5F033KK04 ,  5F033KK08 ,  5F033KK09 ,  5F033LL04 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ16 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR15 ,  5F033SS11 ,  5F033SS15 ,  5F033TT02 ,  5F033UU04 ,  5F033UU05 ,  5F033VV06 ,  5F033VV10 ,  5F033XX00 ,  5F038AC05 ,  5F038AC09 ,  5F038AC15 ,  5F038CD14 ,  5F048AB10 ,  5F048AC10 ,  5F048BA01 ,  5F048BB05 ,  5F048BB19 ,  5F048BC03 ,  5F048BC12 ,  5F048BD07 ,  5F048BF02 ,  5F048BF03 ,  5F048BF07 ,  5F048BF15 ,  5F048BF16 ,  5F048BF18 ,  5F048CB07
引用特許：
審査官引用 (2件)
  • 電界効果型半導体装置
    公報種別：公表公報   出願番号：特願2001-567046   出願人：コーニンクレッカフィリップスエレクトロニクスエヌヴィ
  • 電力用半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-226418   出願人：株式会社東芝

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