特許

J-GLOBAL ID：201703009687060690

熱電デバイス及びシステム

発明者： ボウカイ,アクラム,アイ. ,  サム,ダグラス,ダブリュー. ,  リアン,ハイファン
出願人/特許権者： シリシウム エナジー,インコーポレイテッド
代理人 (4件)： 稲葉 良幸 ,  大貫 敏史 ,  江口 昭彦 ,  内藤 和彦
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-558675
公開番号（公開出願番号）：特表2017-510992
出願日： 2015年03月24日
公開日（公表日）： 2017年04月13日
要約：

本開示は、金属含有量がX線光電子分光(XPS)によって測定したとき約1%未満で性能指数(ZT)が少なくとも約0.25の露出表面を有する可撓性半導体基板を備えた熱電素子を提供し、可撓性半導体基板は、25°Cで約1×106ポンド毎平方インチ(psi)以下のヤング率を有する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

少なくとも約0.25の性能指数(ZT)を有する熱電素子を形成する方法であって、 (a)半導体基板と、前記半導体基板の第1の表面と電気的に連通する作用電極と、前記半導体基板の第2の表面と接触するエッチング液と、前記エッチング液の中にある対向電極と、を備え、前記半導体基板の前記第1及び第2の表面が金属性被覆を実質的に含まない、反応空間を提供することと; (b)少なくとも約0.1mA/cm2の電流密度で電流を前記半導体基板へと導くため、及び(ii)前記半導体基板の前記第2の表面を前記エッチング液でエッチングして前記半導体基板にホールのパターンを形成し、それにより少なくとも約0.25の前記ZTを有する前記熱電素子を形成するために、前記電極及び対向電極を用いることと、 を備え、 前記エッチングは前記半導体基板と前記エッチング液との間で少なくとも約1ボルト(V)の電位で行われ、 前記エッチングは25°Cで少なくとも毎秒約1ナノメートル(nm)のエッチ速度を有する、方法。

IPC (4件)：

H01L 35/34 ,  H01L 35/32 ,  H01L 35/14 ,  H02N 11/00

FI (4件)：

H01L35/34 ,  H01L35/32 A ,  H01L35/14 ,  H02N11/00 A

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 熱電変換素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-363133   出願人：キヤノン株式会社