特許
J-GLOBAL ID:201703009905783772

ポリα-アミノ酸およびそれを用いた強誘電体メモリ素子

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (8件): 高島 一 ,  土井 京子 ,  鎌田 光宜 ,  田村 弥栄子 ,  山本 健二 ,  村田 美由紀 ,  小池 順造 ,  當麻 博文
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2013-514078
特許番号:特許第6112010号
出願日: 2012年05月11日
請求項(抜粋):
【請求項1】 基板上に、ポリα-アミノ酸薄膜、ゲート電極、半導体層、ソース電極及びドレイン電極を有するメモリ素子であって、 ポリα-アミノ酸が、式(I): (式中、R1は炭素数が1〜8の置換もしくは非置換のアルキル基、またはハロゲン原子、アルコキシ基、もしくはニトロ基で置換されてもよいベンジル基を表す。) で表されるグルタミン酸-γ-エステル単位と、 式(II): (式中、R2は炭素数が3〜16の非置換のアルキル基、または、水素原子の一部もしくは全部がハロゲン原子、炭素数が3〜12の脂環式炭化水素基、炭素数が1〜6のアルコキシ基、シアノ基、フェニル基(水素原子の一部もしくは全部がハロゲン原子もしくはアルコキシ基で置換されてもよい)、フェニルアルコキシ基(水素原子の一部もしくは全部がハロゲン原子もしくはアルコキシ基で置換されてもよい)、もしくはフェニルアルキルカルバメート基(水素原子の一部もしくは全部がハロゲン原子もしくはアルコキシ基で置換されてもよい)で置換された炭素数が1〜6のアルキル基を表す。ただし、R1と同一となることはない。) で表されるグルタミン酸-γ-エステル単位、または、式(III): (式中、R3はメチル基、ベンジル基または-(CH2)4-NHX基(基中、Xはハロゲン原子もしくはアルコキシ基で置換されてもよいベンジルオキシカルボニル基、ハロゲン原子で置換されてもよいアルキルカルボニル基、アリルオキシカルボニル基、フルオレニルアルコキシカルボニル基、アルキル基もしくはニトロ基で置換されてもよいベンゼンスルホニル基、またはアルキルオキシカルボニル基を表す。)を表す。) で表されるアラニン、フェニルアラニンもしくはN-置換リジンの単位とを含み、 式(I)の単位と、式(II)の単位または式(III)の単位との含有量比((I)/(II)または(I)/(III))がモル比で10/90〜90/10のコポリマーであることを特徴とする、メモリ素子。
IPC (7件):
H01L 21/8246 ( 200 6.01) ,  H01L 27/105 ( 200 6.01) ,  H01L 51/05 ( 200 6.01) ,  H01L 51/30 ( 200 6.01) ,  C08G 69/10 ( 200 6.01) ,  H01L 27/28 ( 200 6.01) ,  H01L 29/786 ( 200 6.01)
FI (7件):
H01L 27/10 444 A ,  H01L 29/28 100 B ,  H01L 29/28 280 ,  C08G 69/10 ,  H01L 27/10 449 ,  H01L 29/78 618 B ,  H01L 29/78 617 T
引用特許:
出願人引用 (13件)
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審査官引用 (13件)
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