特許
J-GLOBAL ID：201703009974656219
シリコンベース電気光学装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
棚井 澄雄
, 森 隆一郎
, 松尾 直樹
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-507675
特許番号：特許第6187456号
出願日： 2013年03月14日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 第1の導電タイプを呈するようにドープ処理された第1のシリコン半導体層と第2の導電タイプを呈するようにドープ処理された第2のシリコン半導体層の少なくとも一部が積層された構造からなり、前記積層された第1のシリコン半導体層と第2のシリコン半導体層との界面に、比較的薄い誘電体層が形成されたSIS型接合において、前記第1および第2のシリコン半導体層に結合された電気端子からの電気信号により、自由キャリアが、前記比較的薄い誘導体層の両側で蓄積、除去、または反転することにより、光信号電界に作用する自由キャリア濃度が変調されることを利用した電気光学装置であって、
前記第1および第2の導電タイプを呈する第1および第2のシリコン半導体層が積層された領域において、
前記第1のシリコン半導体層の表面にSi1-xGex(x=0.01〜0.9)層からなる凹凸が設けられており、この上に前記比較的薄い誘電体層が形成され、さらに前記第2の導電タイプを呈する第2のシリコン半導体層が積層され、
前記第1のシリコン半導体層の表面に設けられたSi1-xGex(x=0.01〜0.9)層からなる凹凸が、少なくとも2種類以上のSi1-xGex(x=0.01〜0.9)組成の積層構造からなることを特徴とするシリコンベース電気光学装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
引用文献：
出願人引用 (1件)
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IEEE Fabrication of Ge-rich SiGe-On-Insulator Waveguide for Optical Modulator
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