特許
J-GLOBAL ID：201703010084953133
パワー半導体モジュール及びこれを用いた電力変換装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人 武和国際特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-551810
特許番号：特許第6155282号
出願日： 2012年12月13日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 少なくとも2層の絶縁層と2層の金属層とを有し、当該金属層間に当該絶縁層を介在させて積層構造とした矩形状の回路基板と、正極電流を流す正極側端子と、負極電流を流す負極側端子と、前記金属層の内で上層の金属層に載置された半導体素子と、を備えたパワー半導体モジュールであって、
前記上層の金属層は、前記半導体素子に加えて前記正極側端子と電気的に接続されると共に、当該上層の金属層の下に配置された下層の金属層と電気的に接続され、
前記下層の金属層は、前記負極側端子と電気的に接続され、
前記正極側端子と前記負極側端子とは、前記回路基板上で近接した位置で対として前記回路基板の長辺方向に沿って複数設置され、
前記上層の金属層は、前記回路基板の長辺方向の一端部から他端部に亘って延びる矩形状の金属箔を前記回路基板の短辺方向に複数並列して形成されており、
前記半導体素子は、スイッチング素子とダイオードとから成ると共に、複数の前記金属箔のうち少なくともいずれかにおいて、その長辺方向に沿って複数並列して配置され、
前記正極側端子及び前記負極側端子の対と当該対に対応する前記半導体素子とは、前記回路基板の短辺方向に沿ったパターンを形成して前記回路基板の長辺方向に沿って複数並列実装され、
前記パターンは、前記回路基板の短辺方向に沿って複数並列配置された前記半導体素子によって成る列を2列含み、かつ前記正極側端子及び前記負極側端子の対が前記列同士の中間位置に対応する位置に設けられており、
前記複数設置された前記正極側端子及び前記負極側端子の対のそれぞれと当該対に対応する前記半導体素子とを通る電流経路は、前記回路基板の短辺方向に沿って形成され、かつ互いに略同一の長さを有する
ことを特徴とするパワー半導体モジュール。
IPC (2件)：
H01L 25/07 ( 200 6.01)
, H01L 25/18 ( 200 6.01)
出願人引用 (10件)
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審査官引用 (10件)
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