発光装置

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-119887
公開番号（公開出願番号）：特開2016-197240
出願日： 2016年06月16日
公開日（公表日）： 2016年11月24日
要約：

【課題】発光装置の高精細化が進んでも、対向電極の電位降下に起因する輝度の勾配が視認されてしまうのを防ぐことが出来、なおかつ工程数を増やさずに補助電極を形成する。【解決手段】基板上に第1の絶縁膜を形成し、前記第1の絶縁膜上に第1の電極及び補助電極をそれぞれ形成し、前記第1の電極の端部及び前記補助電極の端部を覆うように第2の絶縁膜を形成し、前記第2の絶縁膜において、前記第1の電極を露出させる第1の開口部、及び前記補助電極を露出させる第2の開口部を形成し、前記第1の開口部において前記第1の電極と電気的に接続される電界発光層を形成し、前記電界発光層と重なり、かつ前記第2の開口部において前記補助電極と電気的に接続される第2の電極を形成する。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

多結晶半導体膜を有するトランジスタと、前記トランジスタと電気的に接続された、発光素子と、を有し、前記トランジスタと重なる領域を有する導電層を有し、前記多結晶半導体膜は、曲がりくねった形状を有し、前記曲がりくねった形状は、前記導電層の長軸と沿う方向に延在した第1の領域と、前記導電層の短軸と沿う方向に延在した第2の領域と、を有し、前記第1の領域は、前記第2の領域よりも長いことを特徴とする発光装置。

IPC (4件)：

G09F 9/30 , H01L 51/50 , H01L 27/32 , H01L 29/786

FI (4件)：

G09F9/30 338 , H05B33/14 A , G09F9/30 365 , H01L29/78 618C

Fターム (52件)：

3K107AA01 , 3K107BB01 , 3K107BB08 , 3K107CC33 , 3K107EE04 , 3K107FF15 , 3K107HH05 , 5C094AA05 , 5C094AA43 , 5C094BA03 , 5C094BA27 , 5C094DA13 , 5C094FA01 , 5C094FB14 , 5F110BB02 , 5F110CC01 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE09 , 5F110EE14 , 5F110EE15 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110FF28 , 5F110FF30 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG15 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG43 , 5F110GG44 , 5F110GG45 , 5F110NN03 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN34 , 5F110NN35 , 5F110PP02 , 5F110PP03 , 5F110QQ19

引用特許：

出願人引用 (4件)

電子装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-364003 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
発光装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-119070 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
発光装置、その駆動方法及び電子機器
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-075625 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

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審査官引用 (1件)

電子装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-364003 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

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