特許
J-GLOBAL ID：201703010386071539
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人前田特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-539505
特許番号：特許第6132769号
出願日： 2012年09月05日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 回路が形成された第1の面を有する第1の基材と、
前記第1の面と同じ方向を向いて前記第1の面に隣接する第2の面を有し、前記第1の基材とは線膨張係数が異なり、前記第1の基材と接する第2の基材と、
前記第1の面上及び前記第2の面上に、平面視における前記第1の基材と前記第2の基材との第1の境界線を跨ぐように設けられ、前記第1の面に形成された回路に接続された第1の配線とを備え、
前記第1の配線は、前記第1の境界線上で複数本に分岐しており、
前記第1の境界線上での前記第1の配線の断面積は、前記第1の配線のうち、前記第1の面上に設けられた部分の少なくとも一部の配線幅方向断面の面積、又は前記第1の配線のうち、前記第2の面上に設けられた部分の少なくとも一部の配線幅方向断面の面積よりも大きい半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 23/12 ( 200 6.01)
, H01L 25/065 ( 200 6.01)
, H01L 25/07 ( 200 6.01)
, H01L 25/18 ( 200 6.01)
H01L 23/12 Q
, H01L 23/12 501 P
, H01L 25/08 B
出願人引用 (8件)
全件表示
審査官引用 (8件)
全件表示
前のページに戻る
