メモリセルプログラミング装置およびメモリセルプログラミング方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：野村泰久 , 大菅義之
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-518988
特許番号：特許第6117779号
出願日： 2012年06月28日
請求項（抜粋）：

【請求項1】メモリセルをプログラミングする方法であって、第1のベリファイレベルを用いて第1のページデータを第1のページにプログラミングすることと、前記第1のページの中で更にプログラミングすべきサブセットを決定し、当該サブセットに対する更なるプログラミングを第2のベリファイレベルを用いて行うことと、を含み、前記サブセットを決定することは、前記第1のページと物理的に隣接する第2のページにプログラミングされる第2のページデータの逆数を求めることと、論理和関数において、前記第1のページデータを前記第2のページデータの前記逆数と組み合わせることと、当該組み合わせ結果に基づき前記サブセットを特定することと、を有する、方法。

IPC (2件)：