特許

J-GLOBAL ID：200903023472279543

半導体記憶装置のデータ書き込み方法

発明者： 藤生 政樹 ,  柴田 昇 ,  助川 博
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (2件)： 伊丹 勝 ,  田村 和彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-324737
公開番号（公開出願番号）：特開2006-228394
出願日： 2005年11月09日
公開日（公表日）： 2006年08月31日
要約：

【課題】データの信頼性向上を可能とする半導体記憶装置のデータ書き込み方法を提供する。 【解決手段】しきい値電圧により決まるデータを不揮発に記憶するメモリセルを有する半導体記憶装置において、互いに隣接する第1及び第2のメモリセルに順次書き込みが行われる場合に、第1のメモリセルに所望のしきい値電圧のデータを書き込む方法であって、前記第1のメモリセルに所望のしきい値電圧より低いしきい値電圧のデータを書き込む第1のデータ書き込みを行い、前記第2のメモリセルに第2のデータ書き込みを行い、前記第1のメモリセルに前記所望のしきい値電圧のデータを書き込む第3のデータ書き込みを行う。 【選択図】図6

請求項（抜粋）：

しきい値電圧により決まるデータを不揮発に記憶するメモリセルを有する半導体記憶装置において、互いに隣接する第1及び第2のメモリセルに順次書き込みが行われる場合に、第1のメモリセルに所望のしきい値電圧のデータを書き込む方法であって、 前記第1のメモリセルに所望のしきい値電圧より低いしきい値電圧のデータを書き込む第1のデータ書き込みを行い、 前記第2のメモリセルに第2のデータ書き込みを行い、 前記第1のメモリセルに前記所望のしきい値電圧のデータを書き込む第3のデータ書き込みを行う ことを特徴とする半導体記憶装置のデータ書き込み方法。

IPC (2件)：

G11C 16/02 ,  G11C 16/04

FI (4件)：

G11C17/00 611E ,  G11C17/00 641 ,  G11C17/00 622E ,  G11C17/00 611A

Fターム (9件)：

5B125BA19 ,  5B125CA11 ,  5B125CA20 ,  5B125DB08 ,  5B125DB12 ,  5B125DB19 ,  5B125EA05 ,  5B125FA01 ,  5B125FA02

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 不揮発性半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-266085   出願人：株式会社東芝

審査官引用 (4件)

• 半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-402161   出願人：株式会社東芝
• 半導体集積回路及びデータ処理システム
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-258215   出願人：株式会社日立製作所, 日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社
• 不揮発性半導体記憶装置及びデータ書き込み方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-250932   出願人：富士通株式会社
• 不揮発性半導体記憶装置及びこれを用いた電子装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-117333   出願人：株式会社東芝