特許

J-GLOBAL ID：201703010754715263

半導体装置の製造方法

発明者： 引地 敏彰
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人深見特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-209295
公開番号（公開出願番号）：特開2015-074562
特許番号：特許第6076227号
出願日： 2013年10月04日
公開日（公表日）： 2015年04月20日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 放射線損傷が残存した半導体ウエハを準備する工程と、 前記半導体ウエハの一部のみを加熱部材により加熱することによって前記半導体ウエハの一方の主面の前記放射線損傷が残存した領域に含まれる印字領域を加熱しつつ、前記加熱部材と異なるレーザ光源から前記印字領域にレーザ光を照射して前記半導体ウエハに印字する工程とを備える、半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

C30B 29/06 ( 200 6.01) ,  H01L 21/02 ( 200 6.01)

FI (2件)：

C30B 29/06 B ,  H01L 21/02 A

引用特許：

審査官引用 (2件)

• NTD半導体基板へのレーザー印字方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-173975   出願人：富士電機株式会社
• 加工物への刻印方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-015020   出願人：株式会社日立製作所