特許

J-GLOBAL ID：201703010815306159

固体撮像素子および製造方法、並びに電子機器

発明者： 杉崎 太郎
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (2件)： 西川 孝 ,  稲本 義雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-000862
公開番号（公開出願番号）：特開2017-123380
出願日： 2016年01月06日
公開日（公表日）： 2017年07月13日
要約：

【課題】複数のセンサ層を積層して構成される固体撮像素子の性能向上を図る。【解決手段】 光が入射してくる側である上層に積層される上側センサ層を構成し、平面的に配置される複数の上層画素ごとにフォトダイオードが設けられる半導体基板と、上側センサ層に対して下層側に積層される下側センサ層を構成し、少なくとも1つの下層画素ごとに1つ以上のフォトダイオードが設けられる半導体基板との間に、絶縁膜が設けられる。その絶縁膜の屈折率よりも高屈折率の材料により構成され、下層画素に向かって絶縁膜を貫通するように導波路が設けられる。本技術は、例えば、複数のセンサ層を積層して構成される積層型のイメージセンサに適用できる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

光が入射してくる側である上層に積層される第1のセンサ層を構成し、平面的に配置される複数の画素ごとに上側光電変換部が設けられる第1の半導体基板と、 前記第1のセンサ層に対して下層側に積層される第2のセンサ層を構成し、少なくとも1つの前記画素ごとに1つ以上の下側光電変換部が設けられる第2の半導体基板と、 前記第1のセンサ層および前記第2のセンサ層が少なくとも積層される積層構造における前記第1の半導体基板と前記第2の半導体基板との間に設けられる絶縁膜と、 前記絶縁膜の屈折率よりも高屈折率の材料により構成され、前記第2の半導体基板の前記下側光電変換部に向かって前記絶縁膜を貫通するように設けられる導波路と を備える固体撮像素子。

IPC (2件)：

H01L 27/14 ,  H04N 5/369

FI (2件)：

H01L27/14 D ,  H04N5/335 690

Fターム (28件)：

4M118AA01 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA02 ,  4M118CA22 ,  4M118EA01 ,  4M118EA14 ,  4M118GA02 ,  4M118GA09 ,  4M118GB04 ,  4M118GB11 ,  4M118GC08 ,  4M118GC09 ,  4M118GC14 ,  4M118GC20 ,  4M118GD03 ,  4M118GD04 ,  4M118GD11 ,  4M118HA25 ,  5C024BX01 ,  5C024BX02 ,  5C024BX04 ,  5C024CY47 ,  5C024EX42 ,  5C024EX43 ,  5C024EX52 ,  5C024GX03 ,  5C024GX07

引用特許：

審査官引用 (2件)

• チョークコイル及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-287412   出願人：NECトーキン株式会社
• コイル部品
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2013-201107   出願人：株式会社村田製作所