特許
J-GLOBAL ID：201703011175954325
フォトマスクの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人 津国
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-137171
公開番号（公開出願番号）：特開2014-002255
特許番号：特許第6063650号
出願日： 2012年06月18日
公開日（公表日）： 2014年01月09日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 露光光透過率が互いに異なる下層膜と上層膜とがそれぞれパターニングされてなる下層膜パターンと上層膜パターンとが積層されて透明基板上に設けられた転写用パターンを備えるフォトマスクの製造方法であって、
前記透明基板上に、互いにエッチング選択性のある材料からなる前記下層膜と前記上層膜とを積層し、更に第1レジスト膜を形成したフォトマスクブランクを用意する工程と、
前記第1レジスト膜に対して第1描画を行うことにより、
前記上層膜パターンと、
前記下層膜パターンの領域を画定する暫定パターンと
を形成するための第1レジストパターンを形成する工程と、
前記第1レジストパターンをマスクとして、前記上層膜をエッチングする第1エッチング工程と、
形成された前記上層膜パターンと前記暫定パターンとを含む全面に第2レジスト膜を形成する工程と、
前記第2レジスト膜に対して第2描画を行うことにより、前記下層膜パターンを形成するための第2レジストパターンを形成する工程と、
前記暫定パターンと前記第2レジストパターンとをマスクとして、前記下層膜をエッチングする、第2エッチング工程と、
前記第2レジストパターンをマスクとして、前記暫定パターンをエッチング除去する第3エッチング工程と
を有する、ことを特徴とするフォトマスクの製造方法。
IPC (3件)：
G03F 1/26 ( 201 2.01)
, G03F 1/29 ( 201 2.01)
, G03F 9/00 ( 200 6.01)
G03F 1/26
, G03F 1/29
, G03F 9/00 H
