特許
J-GLOBAL ID：201103099304014440

光学素子の製造方法、光学素子

発明者：
山城 一秀

山城 一秀 について

, 
須田 秀喜

須田 秀喜 について


出願人/特許権者：
HOYA株式会社

HOYA株式会社 について


代理人 (5件)： 阿仁屋 節雄 ,  油井 透 ,  清野 仁 ,  福岡 昌浩 ,  奥山 知洋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-289010
公開番号（公開出願番号）：特開2011-128504
出願日： 2009年12月21日
公開日（公表日）： 2011年06月30日
要約：
【課題】遮光部、透光部、および位相シフタ部を正確に画定する。【解決手段】基板上に形成された遮光膜がパターニングされてなる遮光部と、基板の一部表面が露出してなる透光部と、基板の一部表面がエッチングされてなる位相シフタ部と、を有する光学素子の製造方法であって、基板上に遮光膜と第1のレジスト膜とがこの順に積層された光学素子ブランクを用意する工程と、第1のレジスト膜を描画して現像することにより、遮光部の形成予定領域を覆うと共に、位相シフタ部の形成予定領域を画定する第1のレジストパターンを形成する工程と、を有する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板上に形成され、パターニングされた遮光膜によってなる遮光部と、前記基板の一部表面が露出してなる透光部と、前記基板の一部表面がエッチングされてなる位相シフタ部と、を有し、かつ前記位相シフタ部と前記透光部とが隣接する部分を有する光学素子の製造方法であって、 前記基板上に前記遮光膜と第1のレジスト膜とがこの順に積層された光学素子ブランクを用意する工程と、前記第1のレジスト膜に描画と現像を施し、前記遮光部の形成予定領域を覆うと共に、前記位相シフタ部の形成予定領域を画定する第1のレジストパターンを形成する工程と、を有する ことを特徴とする光学素子の製造方法。
IPC (1件)：
G03F 1/08
FI (1件)：
G03F1/08 A
Fターム (3件)：
2H095BB03 ,  2H095BB05 ,  2H095BC28
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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