特許
J-GLOBAL ID:201703011263957563

スピン軌道相互作用の制御方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 山川 茂樹 ,  小池 勇三 ,  山川 政樹
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2016-087730
公開番号(公開出願番号):特開2017-199743
出願日: 2016年04月26日
公開日(公表日): 2017年11月02日
要約:
【課題】より高い自由度でスピン流の状態が制御できるようにする。【解決手段】金属から構成された金属薄膜の厚さにより、スピン軌道相互作用の強さを制御する。まず、金属薄膜の結晶状態を結晶状態または多結晶状態のいずれかにすることによりスピン軌道相互作用の強さを制御する。また、結晶状態に加えて金属薄膜の厚さによりスピン軌道相互作用の強さを制御する。【選択図】 なし
請求項(抜粋):
金属から構成された金属薄膜のスピン軌道相互作用の強さを制御するスピン軌道相互作用の制御方法であって、 前記金属薄膜の厚さによりスピン軌道相互作用の強さを制御する ことを特徴とするスピン軌道相互作用の制御方法。
IPC (1件):
H01L 29/82
FI (1件):
H01L29/82 Z
Fターム (7件):
5F092AC21 ,  5F092AD23 ,  5F092BD13 ,  5F092BD14 ,  5F092BD15 ,  5F092BE21 ,  5F092BE27
引用特許:
出願人引用 (1件) 審査官引用 (1件)
引用文献:
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