特許
J-GLOBAL ID:201703011537053348
太陽光保護のための薄層スタックを備えたグレージング
発明者:
,
,
出願人/特許権者:
代理人 (6件):
青木 篤
, 石田 敬
, 古賀 哲次
, 出野 知
, 関根 宣夫
, 塩川 和哉
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2017-501505
公開番号(公開出願番号):特表2017-511297
出願日: 2015年03月25日
公開日(公表日): 2017年04月20日
要約:
本発明は、太陽放射線に対して作用する薄層のスタックを備えた基材、特にガラス基材を含む太陽光保護及び/又は断熱性グレージングであって、該スタックが、ガラスの表面から出発して以下の一連の層、すなわち、誘電体材料からなる下層又は誘電体材料からなる複数の下層のセット、ケイ素をも含むチタン酸化物をベースとする層であって、該層中の全体としてのSi/Ti原子比が0.01と0.25の間であり、Si及びTiが酸素以外の原子の少なくとも90%であり、厚さが20nmと70nの間である層、誘電体材料からなる上層又は誘電体材料からなる複数の上層のセット、からなる、太陽光保護及び/又は断熱性グレージングに関する。
請求項(抜粋):
太陽放射線に対して作用する薄層のスタックを備えた基材、好ましくはガラス基材を含む太陽光保護グレージングであって、該スタックがガラスの表面から出発して以下の一連の層、すなわち、
・誘電体材料からなる下層又は誘電体材料からなる複数の下層のセット、
・ケイ素をも含むチタン酸化物をベースとする層であって、該層中の全体としてのSi/Ti原子比が0.01と0.25の間であり、且つ該層においてSi及びTiが酸素以外の原子の少なくとも90%であり、該層の厚さは20nmと70nmの間である、ケイ素をも含むチタン酸化物をベースとする層、
・誘電体材料からなる上層又は誘電体材料からなる複数の上層のセット、
からなる、太陽光保護グレージング。
IPC (3件):
C03C 17/34
, B32B 17/06
, B32B 9/00
FI (3件):
C03C17/34 Z
, B32B17/06
, B32B9/00 A
Fターム (57件):
4F100AA12B
, 4F100AA12D
, 4F100AA13B
, 4F100AA13D
, 4F100AA19B
, 4F100AA19D
, 4F100AA20
, 4F100AA20B
, 4F100AA20C
, 4F100AA20D
, 4F100AA21
, 4F100AA21B
, 4F100AA21C
, 4F100AA21D
, 4F100AA25B
, 4F100AA25D
, 4F100AA28B
, 4F100AA28D
, 4F100AG00
, 4F100AG00A
, 4F100AR00B
, 4F100AR00D
, 4F100AR00E
, 4F100AT00A
, 4F100BA04
, 4F100BA05
, 4F100BA07
, 4F100BA41E
, 4F100CC00E
, 4F100EH46E
, 4F100EH66
, 4F100EJ28A
, 4F100EJ28B
, 4F100EJ28C
, 4F100EJ28D
, 4F100GB32
, 4F100JG05B
, 4F100JG05D
, 4F100JN01
, 4F100JN01A
, 4F100JN01B
, 4F100JN01C
, 4F100JN01D
, 4F100JN02E
, 4F100JN06
, 4F100YY00B
, 4F100YY00C
, 4F100YY00D
, 4G059AA01
, 4G059AC06
, 4G059EA04
, 4G059EA05
, 4G059EA12
, 4G059EB01
, 4G059GA02
, 4G059GA04
, 4G059GA12
引用特許:
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