特許
J-GLOBAL ID：201703011649731209

表示装置

発明者：
山崎 舜平

山崎 舜平 について

, 
波多野 薫

波多野 薫 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-171401
公開番号（公開出願番号）：特開2016-218477
出願日： 2016年09月02日
公開日（公表日）： 2016年12月22日
要約：
【課題】薄く、軽量であり且つ破壊が生じにくい液晶表示装置を、作製工程を大幅に削減して低コストで作製する方法を提供する。【解決手段】剥離層を介して基板上に素子領域を形成する際に、半導体層のエッチングと、画素電極とドレイン電極を接続するためのコンタクトホールの形成を、同一のフォトリソグラフィ工程及びエッチング工程で行う。更に素子領域を基板から剥離してじん性の高い第1の支持体に移し替え、第1の支持体及びじん性の高い第2の支持体で液晶素子を挟持することで、薄く、軽量であり且つ破壊が生じにくい液晶表示装置を、作製工程を大幅に削減して低コストで作製できる。【選択図】図8
請求項（抜粋）：
トランジスタと、接続部と、を有する表示装置であって、 前記トランジスタは、 ゲート電極と、 前記ゲート電極上方のゲート絶縁層と、 前記ゲート絶縁層上方の第1の酸化物半導体層と、 前記第1の酸化物半導体層上方の第1の層と、 前記第1の層上方に設けられ、前記第1の酸化物半導体層と電気的に接続された第1の導電層と、 を有し、 前記接続部は、 第2の導電層と、 前記第2の導電層上方の前記ゲート絶縁層と、 前記ゲート絶縁層上方の第2の酸化物半導体層と、 前記第2の酸化物半導体層上方の第2の層と、 前記ゲート絶縁層、前記第2の酸化物半導体層及び前記第2の層に設けられた開口部と、 前記開口部内に設けられ、前記第2の導電層と電気的に接続された第3の導電層と、 を有し、 前記第3の導電層は、前記第2の酸化物半導体層の側面と接することを特徴とする表示装置。
IPC (3件)：
G09F 9/30 ,  G02F 1/136 ,  H01L 29/786
FI (3件)：
G09F9/30 338 ,  G02F1/1368 ,  H01L29/78 618B
Fターム (87件)：
2H192AA24 ,  2H192BC31 ,  2H192CB05 ,  2H192CB45 ,  2H192DA12 ,  2H192DA42 ,  2H192FA65 ,  2H192HA22 ,  5C094AA15 ,  5C094AA36 ,  5C094AA44 ,  5C094BA43 ,  5C094CA19 ,  5C094DA13 ,  5C094DB04 ,  5C094FA01 ,  5C094FA02 ,  5C094FB12 ,  5C094FB14 ,  5C094FB15 ,  5C094HA08 ,  5C094HA10 ,  5F110AA01 ,  5F110AA02 ,  5F110AA06 ,  5F110AA07 ,  5F110BB01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE14 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG03 ,  5F110GG04 ,  5F110GG06 ,  5F110GG12 ,  5F110GG13 ,  5F110GG14 ,  5F110GG15 ,  5F110GG17 ,  5F110GG19 ,  5F110GG22 ,  5F110GG25 ,  5F110GG33 ,  5F110GG34 ,  5F110GG43 ,  5F110GG57 ,  5F110GG58 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK21 ,  5F110NN03 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN34 ,  5F110NN40 ,  5F110NN73 ,  5F110PP10 ,  5F110PP13 ,  5F110PP36 ,  5F110QQ06 ,  5F110QQ16
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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