半導体装置、及び半導体装置の作製方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-284538
公開番号（公開出願番号）：特開2007-096055
出願日： 2005年09月29日
公開日（公表日）： 2007年04月12日
要約：

【課題】より良好な電気的特性を有する化合物半導体を用いた薄膜トランジスタを有する半導体装置、及びその作製方法を提供することを目的とする。【解決手段】半導体層として化合物半導体材料を用い、半導体層とソース電極層及びドレイン電極層との間に、それぞれ導電性の有機化合物及び無機化合物を含むバッファ層を形成する。バッファ層は有機化合物及び無機化合物を含む層として形成される。化合物半導体材料を用いた半導体層とソース電極層及びドレイン電極層との間に介在するバッファ層によって、半導体層とソース電極層及びドレイン電極層との導電性は向上し、電気的に良好な接続を行うことができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

酸化物半導体層と、導電層と、前記酸化物半導体層と前記導電層との間に設けられた有機化合物及び無機化合物を含む層を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 29/786 , H01L 21/28 , H01L 21/288 , G09F 9/30 , H01L 27/32

FI (7件)：

H01L29/78 618B , H01L29/78 616U , H01L29/78 616V , H01L21/28 301B , H01L21/288 Z , G09F9/30 338 , G09F9/30 365Z

Fターム (111件)：

4M104AA01 , 4M104AA02 , 4M104AA08 , 4M104AA09 , 4M104AA10 , 4M104BB01 , 4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104BB05 , 4M104BB06 , 4M104BB07 , 4M104BB08 , 4M104BB09 , 4M104BB14 , 4M104BB16 , 4M104BB17 , 4M104BB18 , 4M104BB33 , 4M104BB36 , 4M104BB40 , 4M104CC01 , 4M104CC05 , 4M104DD37 , 4M104DD43 , 4M104DD51 , 4M104DD52 , 4M104DD53 , 4M104DD65 , 4M104DD79 , 4M104DD80 , 4M104DD81 , 4M104FF13 , 4M104GG09 , 4M104GG20 , 5C094AA21 , 5C094AA43 , 5C094AA44 , 5C094BA03 , 5C094BA27 , 5C094BA43 , 5C094CA19 , 5C094FB14 , 5F110AA03 , 5F110BB01 , 5F110CC03 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD12 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE07 , 5F110EE09 , 5F110EE42 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110EE45 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110FF29 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG03 , 5F110GG04 , 5F110GG05 , 5F110GG32 , 5F110GG42 , 5F110GG43 , 5F110GG44 , 5F110GG45 , 5F110GG47 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK07 , 5F110HK09 , 5F110HK21 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110HK34 , 5F110HK39 , 5F110HL02 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL07 , 5F110HL11 , 5F110HL21 , 5F110HL22 , 5F110HL23 , 5F110HM12 , 5F110NN03 , 5F110NN12 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN33 , 5F110NN34 , 5F110NN35 , 5F110NN72

引用特許：

出願人引用 (1件)

トランジスタ及び半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-326889 出願人：科学技術振興事業団

審査官引用 (12件)

X-Yアドレス指定可能な電気的マイクロスイッチアレイとこれを使用したセンサマトリックス
公報種別：公表公報出願番号：特願2000-529758 出願人：ユニアックスコーポレイション
トランジスタ及び半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-326889 出願人：科学技術振興事業団
透明酸化物半導体薄膜トランジスタ
公報種別：公表公報出願番号：特願2004-543769 出願人：イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー

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