特許
J-GLOBAL ID：201703011912299163

パターン形成方法

発明者：
黒澤 剛志

黒澤 剛志 について

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塩野 大寿

塩野 大寿 について

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宮城 賢

宮城 賢 について

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松宮 祐

松宮 祐 について

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宮下 健一郎

宮下 健一郎 について

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大森 克実

大森 克実 について


出願人/特許権者：
東京応化工業株式会社

東京応化工業株式会社 について


代理人 (4件)： 棚井 澄雄 ,  志賀 正武 ,  鈴木 三義 ,  五十嵐 光永
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-031420
公開番号（公開出願番号）：特開2014-160204
特許番号：特許第6088843号
出願日： 2013年02月20日
公開日（公表日）： 2014年09月04日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 基板上に、下地剤を塗布し、該下地剤からなる層を形成する工程と、 その後、該下地剤からなる層の上に、露光により酸を発生し、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化するレジスト組成物を塗布してレジスト膜を形成する工程と、 前記レジスト膜を露光する工程と、 前記レジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程と、 複数種類のブロックが結合したブロックコポリマーを含む層を、前記レジストパターンが形成された該下地剤からなる層の上に形成した後、前記ブロックコポリマーを含む層を相分離させる工程と、 前記ブロックコポリマーを含む層のうち、前記ブロックコポリマーを構成する複数種類のブロックのうちの少なくとも一種類のブロックからなる相を選択的に除去する工程と、 を有するパターン形成方法であって、 前記下地剤は、芳香族環含有モノマー由来の構成単位を有する樹脂成分(A’)と、露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)と、を含み、100質量部の前記樹脂成分(A’)に対し、5〜50質量部の前記酸発生剤成分(B)を含むことを特徴とするパターン形成方法。
IPC (4件)：
G03F 7/11 ( 200 6.01) ,  G03F 7/039 ( 200 6.01) ,  G03F 7/40 ( 200 6.01) ,  H01L 21/027 ( 200 6.01)
FI (5件)：
G03F 7/11 503 ,  G03F 7/039 601 ,  G03F 7/40 521 ,  H01L 21/30 502 D ,  H01L 21/30 570
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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