特許
J-GLOBAL ID：201703012062743464

電子デバイス及びその製造方法

発明者：
原田 直樹

原田 直樹 について

, 
實宝 秀幸

實宝 秀幸 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-173228
公開番号（公開出願番号）：特開2017-050424
出願日： 2015年09月02日
公開日（公表日）： 2017年03月09日
要約：
【課題】簡易な回路構成で消費電力を抑え、より大きな電圧検出感度を有する高性能で信頼性の高い微細な電子デバイスを実現する。【解決手段】ヘテロ接合逆方向ダイオードは、第1のグラフェン1a及び第2のグラフェン1bを有するグラフェンナノリボン1と、第1のグラフェンと接続されたカソード電極2と、第2のグラフェン1bと接続されたアノード電極3とを備えており、第1のグラフェン1aは、エッジが第1の終端基であるFで終端されていると共に、n型の極性を有しており、第2のグラフェン1bは、エッジが第2の終端基であるHで終端されていると共に、p型の極性を有している。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
第1のグラフェン及び第2のグラフェンを有するグラフェンナノリボンと、 前記第1のグラフェンと接続された第1の電極と、 前記第2のグラフェンと接続された第2の電極と を含み、 前記第1のグラフェンは、エッジが第1の終端基で終端されていると共に、第1の極性を有しており、 前記第2のグラフェンは、エッジが前記第1の終端基と異なる第2の終端基で終端されていると共に、前記第1の極性と異なる第2の極性を有していることを特徴とする電子デバイス。
IPC (11件)：
H01L 29/861 ,  H01L 29/868 ,  H01L 51/05 ,  C01B 32/15 ,  C01B 32/18 ,  C01B 32/182 ,  H01L 29/66 ,  H01L 29/06 ,  B82Y 30/00 ,  B82Y 40/00 ,  H01L 51/40
FI (9件)：
H01L29/91 G ,  C01B31/02 101Z ,  H01L29/91 H ,  H01L29/66 T ,  H01L29/06 601N ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 310E
Fターム (6件)：
4G146AA01 ,  4G146AA15 ,  4G146AA17 ,  4G146AB07 ,  4G146AB08 ,  4G146AD28
引用特許：
審査官引用 (2件)

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