特許
J-GLOBAL ID：201703012537340467
セラミック回路基板および製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-240634
公開番号（公開出願番号）：特開2014-090144
特許番号：特許第6100501号
出願日： 2012年10月31日
公開日（公表日）： 2014年05月15日
請求項（抜粋）：
【請求項1】セラミック基板の一方の面に銅回路、他方の面に銅放熱板が活性金属としてTiを含有するろう材により接合されてなるセラミック回路基板において、セラミック基板の鏡面光沢度が5.0以上、セラミック回路基板の接合ボイドが10%以下であって、セラミック回路基板のろう材層がAgを含有する合金中にCuを含有する合金が分散した構造を有し、その厚みが11〜24μmであり、Ti化合物の厚みが0.4〜0.6μmで、その占有面積が12〜85%であることを特徴とするセラミック回路基板。
IPC (6件)：
H01L 23/13 ( 200 6.01)
, C22C 5/08 ( 200 6.01)
, B23K 35/30 ( 200 6.01)
, H05K 3/38 ( 200 6.01)
, H05K 1/02 ( 200 6.01)
, H01L 23/14 ( 200 6.01)
H01L 23/12 C
, C22C 5/08
, B23K 35/30 310 B
, H05K 3/38 E
, H05K 3/38 D
, H05K 3/38 A
, H05K 1/02 F
, H01L 23/14 M
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (6件)
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