特許
J-GLOBAL ID：201003011282751800

パワーモジュール用基板の製造方法及びパワーモジュール用基板

発明者：
青木 慎介

青木 慎介 について

, 
長瀬 敏之

長瀬 敏之 について


出願人/特許権者：
三菱マテリアル株式会社

三菱マテリアル株式会社 について


代理人 (1件)： 青山 正和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-170449
公開番号（公開出願番号）：特開2010-010563
出願日： 2008年06月30日
公開日（公表日）： 2010年01月14日
要約：
【課題】窒化珪素を母材としたセラミックス基板へのアルミニウム板の接合性を向上させたパワーモジュール用基板を提供する。【解決手段】窒化珪素を母材とするセラミックス基板2の上に回路層用アルミニウム板7をろう付け接合してなるパワーモジュール用基板の製造方法であって、窒化アルミニウム又はアルミナのうちのいずれか又はこれらの混合物からなるセラミックス粉末をガス中に分散してエアロゾル化し、そのエアロゾルをセラミックス基板2に噴射することにより、該セラミックス基板2の表面にセラミックス被膜6を形成し、その後、該セラミックス被膜6の上に回路層用アルミニウム板7をろう付け接合する。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
窒化珪素を母材とするセラミックス基板の上に回路層用アルミニウム板をろう付け接合してなるパワーモジュール用基板の製造方法であって、 窒化アルミニウム又はアルミナのうちのいずれか又はこれらの混合物からなるセラミックス粉末をガス中に分散してエアロゾル化し、そのエアロゾルを前記セラミックス基板に噴射することにより、該セラミックス基板の表面にセラミックス被膜を形成し、その後、該セラミックス被膜の上に前記回路層用アルミニウム板をろう付け接合することを特徴とするパワーモジュール用基板の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 23/12 ,  H01L 23/36 ,  C04B 41/87 ,  C04B 37/02
FI (4件)：
H01L23/12 D ,  H01L23/36 C ,  C04B41/87 M ,  C04B37/02 B
Fターム (17件)：
4G026BA17 ,  4G026BB27 ,  4G026BC01 ,  4G026BD01 ,  4G026BF20 ,  4G026BG06 ,  4G026BG26 ,  4G026BG28 ,  4G026BH07 ,  5F136BB04 ,  5F136FA02 ,  5F136FA14 ,  5F136FA16 ,  5F136FA18 ,  5F136FA75 ,  5F136GA02 ,  5F136GA37
引用特許：
出願人引用 (7件)
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