特許
J-GLOBAL ID：201703012541701075
レーザー光発生装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
工藤 修一
, 樺山 亨
, 本多 章悟
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-041240
公開番号（公開出願番号）：特開2017-157742
出願日： 2016年03月03日
公開日（公表日）： 2017年09月07日
要約：
【課題】発振条件の自由度が高いレーザー光発生装置の提供。【解決手段】面発光レーザー素子21を有する光源部2と、光源部2の射出するレーザー光Lを増幅して射出する光増幅部3と、光源部2の発光面を制御するための制御部9と、を有し、面発光レーザー素子21は、活性層212と、活性層212を挟んで形成された一対の反射層211、213と、活性層212と反射層211、213とが主面210a上に形成された基板210と、を有し、基板210は、基板210の主面210aが(100)面から所定の角度で傾斜したGaAs基板であり、光増幅部3は、前記発光面から入射するレーザー光Lを合成してレーザー光束として射出するレーザー光発生装置。【選択図】図8
請求項（抜粋）：
面発光レーザー素子を有する光源部と、
前記光源部の射出するレーザー光を増幅して射出する光増幅部と、
前記光源部の発光面を制御するための制御部と、
を有し、
前記面発光レーザー素子は、活性層と、前記活性層を挟んで形成された一対の反射層と、前記活性層と前記反射層とが主面上に形成された基板と、を有し、
前記基板は、当該基板の前記主面が(100)面から所定の角度で傾斜したGaAs基板であり、
前記光増幅部は、前記発光面から入射する前記レーザー光を合成してレーザー光束として射出するレーザー光発生装置。
IPC (6件)：
H01S 5/343
, H01S 3/10
, H01S 5/42
, H01S 5/50
, H01S 5/022
, H01S 5/062
H01S5/343
, H01S3/10 D
, H01S5/42
, H01S5/50 610
, H01S5/022
, H01S5/062
5F172AE13
, 5F172AF06
, 5F172AM08
, 5F172DD01
, 5F172EE13
, 5F172EE19
, 5F172NN05
, 5F172NR28
, 5F173AC03
, 5F173AC13
, 5F173AC35
, 5F173AC52
, 5F173AH03
, 5F173AR33
, 5F173AR43
, 5F173AR52
, 5F173MA04
, 5F173ME23
, 5F173ME44
, 5F173MF12
, 5F173MF27
, 5F173SC02
, 5F173SE02
, 5F173SG05
, 5F173SG07
