特許
J-GLOBAL ID：201703012896663751

電子写真感光体

発明者：
堀口 治男

堀口 治男 について

, 
上田 麻理

上田 麻理 について

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藤田 俊行

藤田 俊行 について


出願人/特許権者：
コニカミノルタ株式会社

コニカミノルタ株式会社 について


代理人 (1件)： 特許業務法人光陽国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-087683
公開番号（公開出願番号）：特開2017-198775
出願日： 2016年04月26日
公開日（公表日）： 2017年11月02日
要約：
【課題】本発明の課題は、耐久試験後においてもドット再現性に優れ、かつ画像メモリーの発生がなく、耐摩耗性と画像特性の安定性に優れた電子写真感光体を提供することである。【解決手段】本発明の電子写真感光体は、導電性支持体(1)上に感光層(3)が形成され、感光層(3)上に表面層(4)が形成され、表面層(4)にはCuMO2(Mは周期表第13族の元素を表す。)を含むP型半導体粒子(PS)が含有され、X線光電子分光法にて測定された、P型半導体粒子(PS)表面に含有されるCu(I)及びCu(II)のCu2p3/2軌道に由来する光電子ピークの強度をそれぞれInt[Cu(I)]及びInt[Cu(II)]としたとき、下記条件式(A)を満たすことを特徴とする。 条件式(A) 0.18≦(Int[Cu(II)]/Int[Cu(I)])≦0.28【選択図】図4
請求項（抜粋）：
導電性支持体上に感光層が形成され、前記感光層上に表面層が形成された電子写真感光体であって、 前記表面層には、CuMO2(Mは周期表第13族の元素を表す。)を含むP型半導体粒子が含有され、 X線光電子分光法にて測定された、前記P型半導体粒子表面に含有されるCu(I)及びCu(II)のCu2p3/2軌道に由来する光電子ピークの強度をそれぞれInt[Cu(I)]及びInt[Cu(II)]としたとき、下記条件式(A)を満たすことを特徴とする電子写真感光体。 条件式(A) 0.18≦(Int[Cu(II)]/Int[Cu(I)])≦0.28
IPC (1件)：
G03G 5/147
FI (3件)：
G03G5/147 503 ,  G03G5/147 502 ,  G03G5/147 504
Fターム (8件)：
2H068AA03 ,  2H068AA04 ,  2H068AA20 ,  2H068BB57 ,  2H068CA33 ,  2H068CA40 ,  2H068CA48 ,  2H068FA03
引用特許：
出願人引用 (4件)
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