特許
J-GLOBAL ID：201703013208996919

半導体ウェハのダイシング用フレームおよびダイシング用フレームの製造方法

発明者：
大久保 正徳

大久保 正徳 について


出願人/特許権者：
株式会社秋本製作所

株式会社秋本製作所 について


代理人 (1件)： 神保 欣正
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-116005
公開番号（公開出願番号）：特開2017-220628
出願日： 2016年06月10日
公開日（公表日）： 2017年12月14日
要約：
【課題】 強度を維持しつつ軽量化、作業性、利便性を向上させることができ、半導体への悪影響を防止するとともに、半導体ウェハやその加工工程等に関する情報量の増大に対応することのできる半導体ウェハのダイシング用フレームを提供する。【解決手段】 中空部Dを覆うようにフレーム裏面に取り付けたダイシングフィルム上に半導体ウェハを保持可能とする機能を有する中空状の樹脂製のダイシング用フレーム1において、フレームをコア層4と表面層3の複層構造とし、コア層を強度が高く弾性に富んだ樹脂により成型するとともに、表面層を耐磨耗性、帯電防止性、クリーン性に富んだ素材により構成する。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
中空部を覆うようにフレーム裏面に取り付けたダイシングフィルム上に半導体ウェハを保持可能とする機能を有する中空状の樹脂製のダイシング用フレームにおいて、フレームをコア層と表面層の複層構造とし、コア層を強度が高く弾性に富んだ樹脂により成型するとともに、表面層を耐磨耗性、帯電防止性、クリーン性に富んだ素材により構成したことを特徴とする半導体ウェハのダイシング用フレーム。
IPC (1件)：
H01L 21/301
FI (1件)：
H01L21/78 N
Fターム (3件)：
5F063AA15 ,  5F063AA29 ,  5F063EE34
引用特許：
審査官引用 (4件)
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