特許
J-GLOBAL ID：201703013972564675
酸化物層の形成方法及びそれを含む半導体素子の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
実広 信哉
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-104559
公開番号（公開出願番号）：特開2012-235125
特許番号：特許第6128750号
出願日： 2012年05月01日
公開日（公表日）： 2012年11月29日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 基板の表面において、
反応活性要素の層を形成する第1段階と、
前記反応活性要素の層上に反応抑制作用基の層を形成する第2段階と、
前記反応抑制作用基の層上に第1物質の前駆体層を形成する第3段階と、
前記第1物質の酸化物の層を得るために前記第1物質の前駆体を酸化させる第4段階と、
前記第1物質の酸化物の層が所望の厚さで得られるまで、加工後の表面に対して前記第1段階ないし前記第4段階を順次に繰り返す段階と、
を含む酸化物層の形成方法。
IPC (2件)：
H01L 21/316 ( 200 6.01)
, C23C 16/40 ( 200 6.01)
H01L 21/316 X
, H01L 21/316 C
, C23C 16/40
