バッチALDリアクタのための処理プロセス

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：長谷川芳樹 , 山田行一 , 池田成人
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-531413
公開番号（公開出願番号）：特表2009-509039
出願日： 2006年09月18日
公開日（公表日）： 2009年03月05日
要約：

本発明の実施形態は、気相堆積チャンバ内の製造プロセス中に基板汚染を減少させる処理プロセスを提供する。処理プロセスは、気相堆積プロセス、例えば、原子層堆積(ALD)プロセスの前に、間に、後に行うことができる。ALDプロセスの一例において、中間処理ステップと所定数のALDサイクルを含有するプロセスサイクルは、堆積物質が所望の厚さを有するまで繰り返す。チャンバと基板は、処理プロセスの間、不活性ガス、酸化ガス、窒化ガス、還元ガス、又はそれらのプラズマにさらすことができる。ある例において、処理ガスは、オゾン、水、アンモニア、窒素、アルゴン、又は水素を含有するのがよい。一例において、バッチプロセスチャンバ内で酸化ハフニウム物質を堆積させる方法は、前処理ステップと、ALDプロセス中の中間ステップと、後処理ステップとを含む。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

プロセスチャンバ内で基板上に物質を形成する方法であって、プロセスチャンバを前処理プロセスにさらすステップと; 該プロセスチャンバ内の少なくとも一つの基板をALDプロセスにさらすステップであって、 ALDサイクル中に該少なくとも一つの基板を連続して少なくとも二つの化学前駆物質にさらす工程、該ALDサイクルを所定数のサイクル繰り返す工程、各所定数のサイクル後に処理プロセスを行う工程、を含む、前記ステップと; 該プロセスチャンバを後処理プロセスにさらすステップと; を含む、前記方法。

IPC (6件)：

C23C 16/02 , B01J 19/00 , H01L 21/316 , H01L 21/318 , C23C 16/455 , C23C 16/56

FI (6件)：

C23C16/02 , B01J19/00 K , H01L21/316 X , H01L21/318 B , C23C16/455 , C23C16/56

Fターム (38件)：

4G075AA30 , 4G075BC01 , 4G075BC02 , 4G075BC04 , 4G075BC06 , 4G075CA47 , 4G075CA62 , 4G075CA63 , 4G075DA01 , 4G075DA11 , 4K030AA11 , 4K030AA14 , 4K030AA18 , 4K030BA10 , 4K030BA40 , 4K030BA42 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030DA02 , 4K030DA06 , 4K030DA08 , 4K030EA03 , 4K030FA01 , 4K030FA10 , 4K030HA01 , 4K030LA02 , 4K030LA15 , 5F058BA11 , 5F058BC02 , 5F058BC03 , 5F058BC08 , 5F058BF02 , 5F058BF07 , 5F058BF24 , 5F058BF27 , 5F058BF29 , 5F058BF30 , 5F058BJ04

引用特許：

審査官引用 (5件)

原子層蒸着法を用いた薄膜形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-117104 出願人：ソニー株式会社
気相成長装置および気相成長方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-276796 出願人：シャープ株式会社
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-181058 出願人：富士通株式会社

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