特許
J-GLOBAL ID：201703014023626690
セラミック電子部品の製造方法及びセラミック電子部品
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
筒井 秀隆
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-022323
公開番号（公開出願番号）：特開2017-011256
出願日： 2016年02月09日
公開日（公表日）： 2017年01月12日
要約：
【課題】焼結済みセラミック素体の表面の任意の部分に電極を簡単な手法で形成できる製造方法及びその方法により製造されたセラミック電子部品を提案すること。【解決手段】金属酸化物を含有した焼結済みセラミック素体10を準備する工程と、前記セラミック素体10の表面の電極形成領域にレーザLを照射することにより、前記セラミック素体10の一部を低抵抗化させた低抵抗部40を形成する工程と、前記セラミック素体にめっき処理を行うことにより、前記低抵抗部40上に電極となるめっき金属14aを析出させ、そのめっき金属を電極形成領域全体に広がるように成長させる工程と、を備えるセラミック電子部品の製造方法である。【選択図】 図4
請求項（抜粋）：
以下の工程を備えるセラミック電子部品の製造方法;
A:金属酸化物を含有した焼結済みセラミック素体を準備する工程;
B:前記セラミック素体の表面の電極形成領域を局所的に加熱することにより、前記セラミック素体の一部を低抵抗化させた低抵抗部を形成する工程;
C:前記セラミック素体にめっき処理を行うことにより、前記低抵抗部上に電極となるめっき金属を析出させ、前記めっき金属を電極形成領域全体に広がるように成長させる工程。
IPC (4件)：
H01F 41/10
, H01F 27/29
, H01F 17/04
, H01F 41/04
H01F41/10 C
, H01F15/10 C
, H01F15/10 G
, H01F17/04 F
, H01F17/04 A
, H01F41/04 C
5E062FF01
, 5E062FG11
, 5E070AA01
, 5E070AB02
, 5E070CB03
, 5E070CB13
, 5E070CC03
, 5E070EA01
, 5E070EB04
