特許
J-GLOBAL ID：201703014320211971

二次電池の製造方法

発明者：
入山 次郎

入山 次郎 について

, 
梶田 徹也

梶田 徹也 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (2件)： 宮崎 昭夫 ,  緒方 雅昭
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-534622
特許番号：特許第6179404号
出願日： 2012年06月29日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 ケイ素酸化物を含む負極を備える二次電池の製造方法であって、 初回充電前二次電池を組み立てる工程と、 前記初回充電前二次電池を初回充電して二次電池とする工程と、を含み、 前記二次電池の放電時のV-dQ/dV曲線(V:Liに対する負極の電位(mV)、dQ/dV:Liに対する負極の電位変化(mV)に対する二次電池の容量変化(mAh/mV))において、100〜210mVの範囲にピークトップを有するピークのピーク面積(P1)、285〜325mVの範囲にピークトップを有するピークのピーク面積(P2)および410〜520mVの範囲にピークトップを有するピークのピーク面積(P3)が、0≦P1/(P2+P3)≦0.05を満たし、 前記初回充電において、前記ケイ素酸化物に対するLiのドープ量が1600mAh/g以上、2400mAh/g以下であり、 前記放電が満充電状態からの放電であり、前記放電の電流密度が負極面積当たり0.01mA/cm2以下であり、 前記負極中の前記ケイ素酸化物の含有量が65質量%以上である二次電池の製造方法。
IPC (4件)：
H01M 10/058 ( 201 0.01) ,  H01M 10/052 ( 201 0.01) ,  H01M 4/48 ( 201 0.01) ,  H01M 4/13 ( 201 0.01)
FI (4件)：
H01M 10/058 ,  H01M 10/052 ,  H01M 4/48 ,  H01M 4/13
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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