特許
J-GLOBAL ID：201703014747070406

トランジスタ及び半導体記憶装置

発明者：
池田 圭司

池田 圭司 について

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田中 千加

田中 千加 について

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沼田 敏典

沼田 敏典 について

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手塚 勉

手塚 勉 について

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上田 善寛

上田 善寛 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 特許業務法人スズエ国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-052349
公開番号（公開出願番号）：特開2017-168623
出願日： 2016年03月16日
公開日（公表日）： 2017年09月21日
要約：
【課題】酸化物半導体層をチャネルとするトランジスタのコンタクト抵抗を低減する。【解決手段】実施形態に係わるトランジスタは、第1の電極E1と、第2の電極E2と、第1及び第2の電極E1,E2間の酸化物半導体層を含む電流経路SoLと、電流経路SoLのオン/オフを制御する制御端子Gと、制御端子G及び酸化物半導体層SoL間の絶縁層ILと、第1の電極E1及び酸化物半導体層SoL間に配置され、酸化物半導体層SoLと異なる第1の酸化物層OL1と、第2の電極E2及び酸化物半導体層SoL間に配置され、酸化物半導体層SoLと異なる第2の酸化物層OL2と、を備える。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1の電極と、第2の電極と、前記第1及び第2の電極間の酸化物半導体層を含む電流経路と、前記電流経路のオン/オフを制御する制御端子と、前記制御端子及び前記酸化物半導体層間の絶縁層と、前記第1の電極及び前記酸化物半導体層間に配置され、前記酸化物半導体層と異なる第1の酸化物層と、前記第2の電極及び前記酸化物半導体層間に配置され、前記酸化物半導体層と異なる第2の酸化物層と、を具備するトランジスタ。
IPC (9件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/417 ,  H01L 29/49 ,  H01L 29/423 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/088
FI (14件)：
H01L29/78 626A ,  H01L29/78 616U ,  H01L27/10 671A ,  H01L27/10 671C ,  H01L27/10 621C ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618E ,  H01L29/78 616V ,  H01L21/28 301B ,  H01L29/50 M ,  H01L29/58 G ,  H01L21/28 301R ,  H01L27/08 102E ,  H01L27/08 102C
Fターム (83件)：
4M104AA03 ,  4M104AA09 ,  4M104BB04 ,  4M104BB18 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD04 ,  4M104DD08 ,  4M104DD15 ,  4M104DD43 ,  4M104DD75 ,  4M104EE03 ,  4M104EE12 ,  4M104EE16 ,  4M104FF04 ,  4M104FF06 ,  4M104FF18 ,  4M104FF21 ,  4M104GG09 ,  4M104GG14 ,  4M104GG16 ,  4M104HH15 ,  5F048AB01 ,  5F048AB03 ,  5F048AC01 ,  5F048AC10 ,  5F048BA01 ,  5F048BA14 ,  5F048BA19 ,  5F048BA20 ,  5F048BB01 ,  5F048BB09 ,  5F048BC03 ,  5F048BD06 ,  5F048BD07 ,  5F048BF07 ,  5F048BF15 ,  5F048BF16 ,  5F048BG07 ,  5F048CB01 ,  5F048CB03 ,  5F048CB04 ,  5F048CB07 ,  5F083AD02 ,  5F083AD06 ,  5F083AD24 ,  5F083AD31 ,  5F083GA02 ,  5F083GA10 ,  5F083JA02 ,  5F083JA06 ,  5F083JA37 ,  5F083JA39 ,  5F083JA60 ,  5F083MA06 ,  5F083MA16 ,  5F083MA19 ,  5F083PR40 ,  5F083ZA04 ,  5F110AA03 ,  5F110AA06 ,  5F110AA07 ,  5F110BB06 ,  5F110BB11 ,  5F110CC09 ,  5F110DD05 ,  5F110EE02 ,  5F110EE04 ,  5F110FF01 ,  5F110FF09 ,  5F110FF29 ,  5F110GG01 ,  5F110GG07 ,  5F110GG19 ,  5F110GG44 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK04 ,  5F110HK08 ,  5F110HK17 ,  5F110HK21 ,  5F110HK34
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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