特許
J-GLOBAL ID：201103002743365280

半導体装置及びその作製方法

発明者：
淺野 裕治

淺野 裕治 について

, 
肥塚 純一

肥塚 純一 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-119111
公開番号（公開出願番号）：特開2011-009724
出願日： 2010年05月25日
公開日（公表日）： 2011年01月13日
要約：
【課題】酸化物半導体層を用いた薄膜トランジスタにおいて、酸化物半導体層とソース電極層又はドレイン電極層との間のコンタクト抵抗を低減し、電気特性を安定させた薄膜トランジスタを提供する。また、該薄膜トランジスタの作製方法を提供する。【解決手段】酸化物半導体層を用いた薄膜トランジスタにおいて、酸化物半導体層の上に、酸化物半導体層より導電率の高いバッファ層を形成し、該バッファ層の上にソース電極層及びドレイン電極層を形成し、酸化物半導体層とソース電極層又はドレイン電極層とがバッファ層を介して電気的に接続されるように薄膜トランジスタを形成する。また、バッファ層に逆スパッタ処理及び窒素雰囲気下での熱処理を行うことにより、酸化物半導体層より導電率の高いバッファ層を形成する。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
ゲート電極層と、前記ゲート電極層上にゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層上に酸化物半導体層と、前記酸化物半導体層上に第1のバッファ層及び第2のバッファ層と、前記第1のバッファ層及び前記第2のバッファ層の上にソース電極層及びドレイン電極層とを有し、 前記第1のバッファ層及び前記第2のバッファ層は、前記酸化物半導体層より導電率が高く、逆スパッタ処理及び窒素雰囲気下での熱処理を行うことによって形成され、 前記酸化物半導体層と前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層とは前記第1のバッファ層及び前記第2のバッファ層を介して電気的に接続することを特徴とする半導体装置。
IPC (8件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 27/08 ,  H01L 27/088 ,  H01L 21/823 ,  G09F 9/30 ,  G02F 1/136 ,  H01L 51/50
FI (12件)：
H01L29/78 616K ,  H01L29/78 616V ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 627F ,  H01L29/78 618C ,  H01L29/78 618A ,  H01L29/78 616U ,  H01L27/08 331E ,  H01L27/08 102D ,  G09F9/30 338 ,  G02F1/1368 ,  H05B33/14 A
Fターム (161件)：
2H092JA26 ,  2H092JA40 ,  2H092JA47 ,  2H092KA04 ,  2H092KA05 ,  2H092KA08 ,  2H092KA12 ,  2H092KA18 ,  2H092KB22 ,  2H092MA05 ,  2H092MA07 ,  2H092MA15 ,  2H092MA25 ,  2H092NA21 ,  2H092PA06 ,  2H092QA06 ,  2H092QA07 ,  2H092QA13 ,  2H092QA14 ,  3K107AA01 ,  3K107BB01 ,  3K107CC11 ,  3K107EE04 ,  3K107FF17 ,  3K107GG05 ,  3K107GG13 ,  3K107GG28 ,  3K107HH05 ,  5C094AA21 ,  5C094AA24 ,  5C094BA03 ,  5C094BA27 ,  5C094BA43 ,  5C094BA75 ,  5C094CA19 ,  5C094DB04 ,  5C094FA01 ,  5C094FA02 ,  5C094FB05 ,  5C094FB12 ,  5C094FB14 ,  5C094FB15 ,  5C094GB10 ,  5C094JA20 ,  5F048AA07 ,  5F048AB04 ,  5F048AB10 ,  5F048AC01 ,  5F048AC10 ,  5F048BA14 ,  5F048BA16 ,  5F048BB01 ,  5F048BB03 ,  5F048BB09 ,  5F048BB11 ,  5F048BB12 ,  5F048BB13 ,  5F048BC01 ,  5F048BC15 ,  5F048BC18 ,  5F048BD10 ,  5F048BF02 ,  5F048BF07 ,  5F048BF11 ,  5F048BF12 ,  5F048BF15 ,  5F048BF16 ,  5F048BF17 ,  5F048BG01 ,  5F048BG02 ,  5F048BG03 ,  5F048BG07 ,  5F110AA03 ,  5F110AA06 ,  5F110AA07 ,  5F110BB02 ,  5F110BB03 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE14 ,  5F110EE15 ,  5F110EE30 ,  5F110EE38 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110GG01 ,  5F110GG06 ,  5F110GG14 ,  5F110GG15 ,  5F110GG16 ,  5F110GG19 ,  5F110GG22 ,  5F110GG25 ,  5F110GG33 ,  5F110GG34 ,  5F110GG43 ,  5F110GG57 ,  5F110GG58 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK08 ,  5F110HK15 ,  5F110HK16 ,  5F110HK17 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F110HK26 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HK42 ,  5F110HL07 ,  5F110HL09 ,  5F110HL22 ,  5F110HL23 ,  5F110HM03 ,  5F110HM04 ,  5F110HM12 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN05 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN25 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN36 ,  5F110NN40 ,  5F110NN44 ,  5F110NN46 ,  5F110NN47 ,  5F110NN53 ,  5F110NN54 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110NN78 ,  5F110QQ02 ,  5F110QQ09
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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