特許

J-GLOBAL ID：201703015026347152

成膜方法及び熱処理装置

発明者： 菊地 良幸 ,  ▲榊▼原 康明 ,  寒川 誠二
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社 ,  株式会社 東北テクノアーチ
代理人 (4件)： 金本 哲男 ,  亀谷 美明 ,  萩原 康司 ,  扇田 尚紀
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2015050778
公開番号（公開出願番号）：WO2015-108065
出願日： 2015年01月14日
公開日（公表日）： 2015年07月23日
要約：

処理容器内の処理室にある基板上に低誘電率膜を形成する成膜方法であり、処理容器内において処理室の上方に設けられたプラズマ生成室において少なくとも希ガスを供給してマイクロ波を用いてプラズマを生成し、プラズマ生成室と処理室との間に設けられ、当該プラズマ生成室と当該処理室とを連通させる複数の開口を有しかつ紫外線に対する遮蔽性を有する遮蔽部を介して、プラズマ生成室から処理室に粒子を供給し、当該処理室に前駆体ガスを供給して、基板上に低誘電率膜を形成し、その後当該基板に対して加熱処理を行う。

請求項（抜粋）：

処理容器内の処理室にある基板上に低誘電率膜を形成する成膜方法であって、 前記処理容器内において前記処理室の上方に設けられたプラズマ生成室において少なくとも希ガスを供給してマイクロ波を用いてプラズマを生成し、 前記プラズマ生成室と前記処理室との間に設けられており、該プラズマ生成室と該処理室とを連通させる複数の開口を有し、かつ紫外線に対する遮蔽性を有する遮蔽部を介して、前記プラズマ生成室から前記処理室に粒子を供給し、前記処理室に前駆体ガスを供給して、前記基板上に低誘電率膜を形成し、 その後前記基板に対して加熱処理を行う。

IPC (2件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/31

FI (3件)：

H01L21/316 P ,  H01L21/316 X ,  H01L21/31 C

Fターム (35件)：

5F045AA09 ,  5F045AB31 ,  5F045BB08 ,  5F045BB16 ,  5F045BB17 ,  5F045DP04 ,  5F045EE14 ,  5F045EE20 ,  5F045EF04 ,  5F045EF05 ,  5F045EH02 ,  5F045EH03 ,  5F045EH04 ,  5F045EH05 ,  5F045EH06 ,  5F045EH14 ,  5F058AA02 ,  5F058AA03 ,  5F058AA04 ,  5F058AA10 ,  5F058AB10 ,  5F058AE02 ,  5F058AE10 ,  5F058AG01 ,  5F058BA04 ,  5F058BA06 ,  5F058BA07 ,  5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BF08 ,  5F058BF29 ,  5F058BF36 ,  5F058BF38 ,  5F058BH01 ,  5F058BJ02