特許
J-GLOBAL ID：201703015301050220
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-078205
公開番号（公開出願番号）：特開2016-154370
特許番号：特許第6188857号
出願日： 2016年04月08日
公開日（公表日）： 2016年08月25日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 第1のインバータと、
第2のインバータと、
第1のスイッチと、
第2のスイッチと、
第3のスイッチと、
第4のスイッチと、
第1の容量素子と、
第2の容量素子と、を有し、
前記第1のスイッチの一方の端子は、前記第1のインバータの入力端子と電気的に接続され、
前記第1のインバータの出力端子は、前記第2のインバータの入力端子と電気的に接続され、
前記第2のインバータの出力端子は、前記第2のスイッチの一方の端子と電気的に接続され、
前記第2のスイッチの他方の端子は、前記第1のインバータの入力端子と電気的に接続され、
前記第3のスイッチの一方の端子は、前記第2のスイッチの他方の端子と電気的に接続され、
前記第3のスイッチの他方の端子は、前記第1の容量素子の一方の電極と電気的に接続され、
前記第1の容量素子の他方の電極は、前記第2の容量素子の他方の電極と電気的に接続され、
前記第4のスイッチの一方の端子は、前記第2のインバータの入力端子と電気的に接続され、
前記第4のスイッチの他方の端子は、前記第2の容量素子の一方の電極と電気的に接続され、
前記第1のスイッチ、前記第2のスイッチ、前記第1のインバータ、及び前記第2のインバータは、それぞれ、シリコンに形成されるチャネル形成領域を有する第1のトランジスタを有し、
前記第3のスイッチ、及び前記第4のスイッチは、それぞれ、酸化物半導体層に形成されるチャネル形成領域を有する第2のトランジスタを有することを特徴とする半導体装置。
IPC (5件)：
H03K 3/037 ( 200 6.01)
, H01L 27/08 ( 200 6.01)
, H01L 29/786 ( 200 6.01)
, H01L 21/822 ( 200 6.01)
, H01L 27/04 ( 200 6.01)
H03K 3/037
, H01L 27/08
, H01L 29/78 614
, H01L 29/78 618 B
, H01L 27/04 C
