半導体装置

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人ゆうあい特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-122822
公開番号（公開出願番号）：特開2013-251296
特許番号：特許第6064371号
出願日： 2012年05月30日
公開日（公表日）： 2013年12月12日
請求項（抜粋）：

【請求項1】第1導電型のドリフト層(13)と、前記ドリフト層の表層部に形成された第2導電型のベース層(14)と、前記ドリフト層のうち前記ベース層と離間した位置に形成された第2導電型のコレクタ層(11)と、前記ベース層の表面に形成された複数のゲート絶縁膜(16)と、前記ゲート絶縁膜上にそれぞれ形成された複数のゲート電極(17a、17b)と、前記ベース層の表層部に形成されたエミッタ層(20)と、前記エミッタ層および前記ベース層と電気的に接続されたエミッタ電極(23)と、前記コレクタ層と電気的に接続されたコレクタ電極(24)と、を備え、前記複数のゲート電極のうち、一部のゲート電極(17a)におけるゲート電圧の変化速度が残部のゲート電極(17b)におけるゲート電圧の変化速度より遅くされた半導体装置において、前記エミッタ層は、前記一部のゲート電極が配置される前記ゲート絶縁膜にのみ接して形成されており、前記残部のゲート電極が配置される前記ゲート絶縁膜に接して形成されておらず、ターンオンされる際、前記一部のゲート電極のゲート電圧の上昇速度が前記残部のゲート電極のゲート電圧の上昇速度より遅くなり、ターンオフされる際、前記一部のゲート電極のゲート電圧の降下速度が前記残部のゲート電極のゲート電圧の降下速度より遅くなることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/78 ( 200 6.01) , H01L 29/739 ( 200 6.01)

FI (5件)：

H01L 29/78 652 B , H01L 29/78 653 A , H01L 29/78 655 A , H01L 29/78 655 D , H01L 29/78 655 G

引用特許：

出願人引用 (5件)

絶縁ゲート型半導体装置の駆動回路
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-278064 出願人：株式会社デンソー, 富士電機システムズ株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2011-241220 出願人：株式会社デンソー
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-429741 出願人：株式会社東芝

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審査官引用 (3件)

絶縁ゲート型半導体装置の駆動回路
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-278064 出願人：株式会社デンソー, 富士電機システムズ株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-429741 出願人：株式会社東芝
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2011-241220 出願人：株式会社デンソー

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