特許

J-GLOBAL ID：201703015945033377

半導体装置

発明者： 松林 大介
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-198843
公開番号（公開出願番号）：特開2017-021886
特許番号：特許第6201023号
出願日： 2016年10月07日
公開日（公表日）： 2017年01月26日
請求項（抜粋）：

【請求項1】第1のトランジスタと、第2のトランジスタと、を有し、 前記第1のトランジスタは、酸化物半導体層を有し、 前記第1のトランジスタのソース電極は、前記酸化物半導体層の上方の領域を有し、 前記第1のトランジスタのドレイン電極は、前記酸化物半導体層の上方の領域を有し、 前記第2のトランジスタのゲート電極は、前記第1のトランジスタのソース電極またはドレイン電極の一方と電気的に接続されており、 前記第2のトランジスタのゲート電極は、前記第1のトランジスタのソース電極またはドレイン電極の一方の下方の領域を有する半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 21/28 ( 200 6.01) ,  H01L 29/788 ( 200 6.01) ,  H01L 21/336 ( 200 6.01) ,  H01L 29/792 ( 200 6.01) ,  G11C 15/04 ( 200 6.01)

FI (3件)：

H01L 21/28 301 B ,  H01L 29/78 371 ,  G11C 15/04 601 W

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 半導体装置の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-311892   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 有機発光表示装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-138522   出願人：三星モバイルディスプレイ株式會社