特許
J-GLOBAL ID：201703016134994861
パターン形成方法、パターン、並びに、これらを用いたエッチング方法、及び、電子デバイスの製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
特許業務法人航栄特許事務所
, 高松 猛
, 尾澤 俊之
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-158741
公開番号（公開出願番号）：特開2015-031706
特許番号：特許第6097652号
出願日： 2013年07月31日
公開日（公表日）： 2015年02月16日
請求項（抜粋）：
【請求項1】(i)基板上に、下記工程(i-1)、下記工程(i-2)及び下記工程(i-3)をこの順で行い、第1のネガ型パターンを形成する工程、
(i-1)前記基板上に、酸の作用により極性が増大して有機溶剤を含む現像液に対する溶解性が減少する第1の樹脂を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物(1)を用いて第1の膜を形成する工程
(i-2)前記第1の膜を露光する工程
(i-3)前記露光した第1の膜を有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程
(iii)前記基板の、前記第1のネガ型パターンの膜部が形成されていない領域に、第2の樹脂を含有する樹脂組成物(2)を埋設して、下層を形成する工程、
(iv)前記下層上に、酸の作用により極性が増大して有機溶剤を含む現像液に対する溶解性が減少する第3の樹脂を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物(3)を用いて上層を形成する工程、
(v)前記上層を露光する工程、
(vi)前記上層を有機溶剤を含む現像液を用いて現像し、前記下層上に、第2のネガ型パターンを形成する工程、及び、
(vii)前記下層の一部を除去する工程をこの順序で有するパターン形成方法。
IPC (5件)：
G03F 7/038 ( 200 6.01)
, G03F 7/40 ( 200 6.01)
, G03F 7/039 ( 200 6.01)
, H01L 21/027 ( 200 6.01)
, G03F 7/11 ( 200 6.01)
G03F 7/038 601
, G03F 7/40 511
, G03F 7/039 601
, H01L 21/30 514 A
, H01L 21/30 570
, G03F 7/11 502
