特許
J-GLOBAL ID:201103052864928351
レジストパターンコーティング剤及びレジストパターン形成方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (5件):
渡邉 一平
, 木川 幸治
, 菅野 重慶
, 佐藤 博幸
, 小池 成
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2009-180855
公開番号(公開出願番号):特開2011-033884
出願日: 2009年08月03日
公開日(公表日): 2011年02月17日
要約:
【課題】微細なレジストパターンを簡便かつ効率的に形成することができるレジストパターン形成方法に用いられるレジストパターンコーティング剤を提供すること。【解決手段】水酸基を有する樹脂と、架橋剤と、溶媒と、含窒素化合物と、を含有するレジストパターンコーティング剤である。【選択図】なし
請求項(抜粋):
水酸基を有する樹脂と、架橋剤と、溶媒と、含窒素化合物と、を含有するレジストパターンコーティング剤。
IPC (2件):
FI (4件):
G03F7/40 502
, G03F7/40 511
, H01L21/30 575
, H01L21/30 502C
Fターム (5件):
2H096AA25
, 2H096HA02
, 2H096HA05
, 5F046AA11
, 5F046LA18
引用特許:
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