特許
J-GLOBAL ID:201103052864928351

レジストパターンコーティング剤及びレジストパターン形成方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (5件): 渡邉 一平 ,  木川 幸治 ,  菅野 重慶 ,  佐藤 博幸 ,  小池 成
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2009-180855
公開番号(公開出願番号):特開2011-033884
出願日: 2009年08月03日
公開日(公表日): 2011年02月17日
要約:
【課題】微細なレジストパターンを簡便かつ効率的に形成することができるレジストパターン形成方法に用いられるレジストパターンコーティング剤を提供すること。【解決手段】水酸基を有する樹脂と、架橋剤と、溶媒と、含窒素化合物と、を含有するレジストパターンコーティング剤である。【選択図】なし
請求項(抜粋):
水酸基を有する樹脂と、架橋剤と、溶媒と、含窒素化合物と、を含有するレジストパターンコーティング剤。
IPC (2件):
G03F 7/40 ,  H01L 21/027
FI (4件):
G03F7/40 502 ,  G03F7/40 511 ,  H01L21/30 575 ,  H01L21/30 502C
Fターム (5件):
2H096AA25 ,  2H096HA02 ,  2H096HA05 ,  5F046AA11 ,  5F046LA18
引用特許:
審査官引用 (3件)

前のページに戻る