特許
J-GLOBAL ID:201703016550673136
発光素子及びその製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (3件):
長谷川 芳樹
, 清水 義憲
, 三上 敬史
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2016-066107
公開番号(公開出願番号):特開2017-183409
出願日: 2016年03月29日
公開日(公表日): 2017年10月05日
要約:
【課題】強力なn型ドーピング材料である新規化合物を利用した発光素子、及びその製造方法を提供すること。【解決手段】陽極、発光層、電子輸送層及び陰極を有し、電子輸送層が、LUMO準位が-3.0eV以上の少なくとも1種の電子輸送性材料と、SOMO準位が-2.2〜-1.5eVの複素環式化合物及びその誘導体からなる群より選択される少なくとも1種のドーパント材料と、を含有し、電子輸送性材料のLUMO準位が、複素環式化合物のSOMO準位より小さい、発光素子。【選択図】なし
請求項(抜粋):
陽極、発光層、電子輸送層及び陰極を有し、
前記電子輸送層が、LUMO準位が-3.0eV以上の少なくとも1種の電子輸送性材料と、SOMO準位が-2.2〜-1.5eVの複素環式化合物及びその誘導体からなる群より選択される少なくとも1種のドーパント材料と、を含有し、
前記電子輸送性材料のLUMO準位が、前記複素環式化合物のSOMO準位より小さい、
発光素子。
IPC (3件):
H01L 51/50
, H05B 33/10
, C08G 61/10
FI (4件):
H05B33/22 B
, H05B33/10
, H05B33/14 A
, C08G61/10
Fターム (28件):
3K107AA01
, 3K107BB01
, 3K107BB02
, 3K107BB03
, 3K107CC04
, 3K107CC45
, 3K107DD67
, 3K107DD76
, 3K107DD78
, 3K107DD79
, 3K107FF14
, 3K107FF19
, 3K107GG06
, 3K107GG28
, 4J032BA12
, 4J032BA25
, 4J032BB06
, 4J032BB09
, 4J032BC03
, 4J032CA04
, 4J032CA12
, 4J032CA14
, 4J032CA43
, 4J032CB05
, 4J032CB12
, 4J032CD02
, 4J032CE03
, 4J032CG03
引用特許:
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