特許
J-GLOBAL ID：201703016698791740
放射線撮像装置および放射線撮像表示システム
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人つばさ国際特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-123877
公開番号（公開出願番号）：特開2014-241381
特許番号：特許第6126470号
出願日： 2013年06月12日
公開日（公表日）： 2014年12月25日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 複数の画素のそれぞれから放射線に基づく信号電荷を読み出すためのトランジスタを有する駆動基板と、
前記駆動基板上に画素毎に設けられた電荷収集電極と、
前記電荷収集電極上に形成されると共に、放射線を吸収して前記信号電荷を発生する変換層と、
前記変換層上に設けられた対向電極と、
前記駆動基板と前記電荷収集電極との間において、前記電荷収集電極の少なくとも一部に対向配置された第1の導電膜と、前記電荷収集電極とから構成される第1の容量素子と、
前記第1の容量素子と共に、前記信号電荷を保持する第2の容量素子および第3の容量素子とを有し、
前記トランジスタは、多結晶シリコンよりなる半導体層と、前記半導体層を間にして対向配置された第1および第2のゲート電極と、前記半導体層と前記第1および第2のゲート電極と各間に形成された第1および第2のゲート絶縁膜と、前記半導体層に電気的に接続されたソース電極およびドレイン電極とを含み、
前記第2の容量素子は、前記第1のゲート電極と同層に形成された第2の導電膜と、前記半導体層と、前記第1のゲート絶縁膜とから構成され、
前記第3の容量素子は、前記第2のゲート電極と同層に形成された第3の導電膜と、前記半導体層と、前記第2のゲート絶縁膜とから構成されている
放射線撮像装置。
IPC (8件)：
H01L 27/144 ( 200 6.01)
, G01T 1/24 ( 200 6.01)
, H01L 31/0264 ( 200 6.01)
, H01L 31/08 ( 200 6.01)
, H01L 27/146 ( 200 6.01)
, H04N 5/32 ( 200 6.01)
, H04N 5/357 ( 201 1.01)
, H04N 5/374 ( 201 1.01)
H01L 27/14 K
, G01T 1/24
, H01L 31/08 L
, H01L 31/00 A
, H01L 27/14 C
, H04N 5/32
, H04N 5/335 570
, H04N 5/335 740
出願人引用 (7件)
全件表示
審査官引用 (5件)
全件表示
前のページに戻る
