特許
J-GLOBAL ID：201703017048774987

半導体装置

発明者：
中川 未浩

中川 未浩 について


出願人/特許権者：
トヨタ自動車株式会社

トヨタ自動車株式会社 について


代理人 (1件)： 特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-268637
公開番号（公開出願番号）：特開2015-126056
特許番号：特許第6135501号
出願日： 2013年12月26日
公開日（公表日）： 2015年07月06日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 キャリアが縦方向に流れる半導体素子が形成された半導体基板を備え、 前記半導体基板は、厚板領域と、前記厚板領域に隣接し、前記厚板領域よりも縦方向の厚みが薄い薄板領域と、を備え、 前記厚板領域の上面と前記薄板領域の上面との間に段差が形成されており、 前記薄板領域の上面より上方の前記半導体基板に前記半導体素子が形成されており、 前記厚板領域の上面に第1端子が接続されており、 前記薄板領域の一部に第2端子が接続されており、 前記厚板領域の上面に形成された上面電極と、 前記上面電極に取り付けられた半導体層と、 前記半導体層を介して前記上面電極に取り付けられた上面冷却器とを更に備え、 前記第1端子が前記上面電極に取り付けられている、半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 23/36 ( 200 6.01) ,  H01L 29/861 ( 200 6.01) ,  H01L 29/868 ( 200 6.01) ,  H01L 29/872 ( 200 6.01) ,  H01L 29/47 ( 200 6.01)
FI (5件)：
H01L 23/36 C ,  H01L 29/91 C ,  H01L 29/91 F ,  H01L 29/48 F ,  H01L 29/48 D
引用特許：
出願人引用 (5件)
全件表示
審査官引用 (5件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM