配位子、高分子錯体及びその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人特許事務所サイクス
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2015053463
公開番号（公開出願番号）：WO2015-119268
出願日： 2015年02月09日
公開日（公表日）： 2015年08月13日
要約：

新たな有機配位子及びこの有機配位子を用いた希土類イオンと遷移金属イオンを含有する新たな高分子錯体を提供する。上記高分子錯体の製造方法、上記高分子錯体の製造中間体、上記高分子錯体の用途を提供する。本発明は、一般式(1)で示される化合物及び一般式(2)で示される繰り返し単位を有する高分子錯体、又は一般式(2)で示される繰り返し単位に一般式(5)で示される繰り返し単位をさらに含有する高分子錯体、又は一般式(5)で示される繰り返し単位を有する高分子錯体、並びに製造方法及び用途に関する。X1-L1-Ar (1)-(Ar-L1-X1-M1(LG)m-X1-L1-Ar-M2-)n (2)-((Ar-L1-X1)p-M1(LG)m-X1-L1-Ar-M2-)q (5)Arは芳香族ヘテロ炭化水素基、L1はリンカー、X1はホスフィンオキシド含有基、M1は希土類イオン、M2は遷移金属イオン、LGは多座配位子を示す。

請求項（抜粋）：

下記一般式(1)で示される化合物。 X1-L1-Ar (1) 一般式(1)中、 Arは、硫黄原子、酸素原子及び窒素原子からなる群から選ばれるヘテロ原子を1〜3個含み、縮環していてもよい5〜14員芳香族ヘテロ炭化水素基である芳香族ヘテロ炭化水素基を示し、 L1は、連結基または直接結合であるリンカーを示し、 X1は、O=P(Ar11Ar12)-で示されるホスフィンオキシド基(但し、Ar11及びAr12は、独立に、置換若しくは無置換アリール基、置換若しくは無置換ヘテロアリール基、又は置換若しくは無置換アラルキル基を示す)を示す。

IPC (7件)：

C07F 9/58 , C07C 49/92 , C07F 5/00 , C09D 11/02 , C09K 11/06 , C08G 79/14 , H01L 51/50

FI (7件)：

C07F9/58 A , C07C49/92 , C07F5/00 D , C09D11/02 , C09K11/06 660 , C08G79/14 , H05B33/14 B

Fターム (72件)：

3K107AA01 , 3K107BB01 , 3K107CC24 , 3K107DD59 , 3K107DD60 , 3K107DD64 , 3K107DD67 , 3K107DD70 , 3K107FF18 , 3K107GG06 , 4H006AA01 , 4H006AA02 , 4H006AA03 , 4H006AB48 , 4H006AB76 , 4H006AB92 , 4H048AA01 , 4H048AA02 , 4H048AA03 , 4H048AB48 , 4H048AB76 , 4H048AB92 , 4H048BD70 , 4H048BE32 , 4H048VA11 , 4H048VA20 , 4H048VA32 , 4H048VA45 , 4H048VA70 , 4H048VB10 , 4H048VB80 , 4H050AA01 , 4H050AA02 , 4H050AA03 , 4H050AB48 , 4H050AB76 , 4H050AB92 , 4H050BD70 , 4H050BE32 , 4H050WA15 , 4H050WA24 , 4H050WB14 , 4H050WB23 , 4J030CA01 , 4J030CB42 , 4J030CC12 , 4J030CC30 , 4J030CD11 , 4J030CE02 , 4J030CG21 , 4J039AE12 , 4J039BC50 , 4J039BC56 , 4J039BC59 , 4J039BE01 , 4J039EA27 , 4J039FA02 , 4J039GA13 , 5F142AA62 , 5F142AA75 , 5F142DA02 , 5F142DA22 , 5F142DA23 , 5F142DA24 , 5F142DA32 , 5F142DA49 , 5F142DA52 , 5F142DA55 , 5F142DA72 , 5F142DA73 , 5F142FA28 , 5F142HA01

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