特許

J-GLOBAL ID：201703017159719268

光信号発生方法及び光信号発生装置

発明者： 菅野 敦史 ,  川西 哲也
出願人/特許権者： 国立研究開発法人情報通信研究機構
代理人 (2件)： 廣瀬 隆行 ,  関 大祐
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-033572
公開番号（公開出願番号）：特開2017-151267
出願日： 2016年02月24日
公開日（公表日）： 2017年08月31日
要約：

【課題】高消光比変調器の利用により,汎用的なAD変換器・制御ボードを用いても,容易に要求される消光比を実現可能なバイアス電圧を制御できる方法および装置を提供する。【解決手段】制御電圧のステップ量(変異量)ΔVを半波長電圧VΠ[V]の0.1倍以下とする。たとえば,最小点を探す場合,現バイアス電圧を基準として,ステップ電圧ΔVだけ大きいバイアス,及びステップ電圧ΔVだけ小さいバイアスを印可した際の,光強度を計測し,その小さい方へバイアス電圧を移動させる。そして,この移動させたバイア電圧を基準とし,両隣の電位にあるバイアス点における光強度を比較し,基準となるバイアス電圧を変化させることを繰り返す。その際,ΔVは,所定のアルゴリズムに従って,次第に小さくなるようにしてもよい。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

光変調器に印可されるバイアス電圧の調整方法であって, 前記光変調器の半波長電圧をVΠ[V]としたときに, 所定のバイアス電圧V0から,0.001VΠ[V]以上0.1VΠ[V]以下小さい第1の下側バイアス電圧V11を前記光変調器に印可した時の第1の光出力IV11と, 前記所定のバイアス電圧V0から0.001VΠ[V]以上0.1VΠ[V]以下大きい第2の上側バイアス電圧V12を前記光変調器に印可した時の第2の光出力IV12とを比較する工程と, 第1の光出力IV11と第2の光出力IV12のうち小さい方の光出力を与えるバイアス電圧を基準電圧として採用する工程と, を含む,方法。

IPC (2件)：

G02F 1/035 ,  H04B 10/516

FI (2件)：

G02F1/035 ,  H04B9/00 516

Fターム (23件)：

2K102AA21 ,  2K102BA01 ,  2K102BB01 ,  2K102BC04 ,  2K102BD01 ,  2K102CA09 ,  2K102DA04 ,  2K102DB04 ,  2K102EA02 ,  2K102EA25 ,  2K102EB22 ,  5K102AA61 ,  5K102AH02 ,  5K102MA01 ,  5K102MB04 ,  5K102MC30 ,  5K102MD01 ,  5K102MD03 ,  5K102MH02 ,  5K102MH13 ,  5K102MH22 ,  5K102PH02 ,  5K102RD02

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 光送信機、及び光変調器のバイアス制御方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2014-240441   出願人：富士通オプティカルコンポーネンツ株式会社
• 光送信装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-384208   出願人：松下電器産業株式会社
• 光送信器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-083719   出願人：日本オプネクスト株式会社